在了解晶振的基本原理与特性之前我们先来看看什么是晶振？晶振是一种机电器件，是用电损耗很小的石英晶体经精密切割磨削并镀上电极焊上引线做成。常用的晶振有16M晶振等等，晶振一般采用如图1a的电容三端式（考毕兹） 交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图1b,其中Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图1c.其中Co,C1,L1,RR是晶体的等效电路。
分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能"压控"的频率范围也越小。实际上，由于C1很小（1E-15量级），Co不能忽略（1E-12量级，几PF）。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压（Cbe上的电压）却越来越小，导致停振。
采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。
晶振的指标
晶振的指标晶振的指标晶振的指标 总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的偏差。
说明：总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。
频率稳定度：任何晶振，频率不稳定是的，程度不同而已。一个晶振的输出频率随时间变化的曲线如图2.图中表现出频率不稳定的三种因素：老化、飘移和短稳。
曲线1是用0.1秒测量的情况，表现了晶振的短稳；曲线3是用100秒测量的情况，表现了晶振的漂移；曲线4 是用1天测量的情况。表现了晶振的老化。
频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的允许频偏。
ft=±（fmax-fmin）/（fmax+fmin）
ftref =±MAX[|（fmax-fref）/fref|,|（fmin-fref）/fref|]
ft:频率温度稳定度（不带隐含基准温度）
ftref:频率温度稳定度（带隐含基准温度）
fmax :规定温度范围内测得的频率
fmin:规定温度范围内测得的频率
fref:规定基准温度测得的频率
说明：采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器，故ftref指标的晶体振荡器售价较高。
开机特性（频率稳定预热时间）：指开机后一段时间（如5分钟）的频率到开机后另一段时间（如1小时）的频率的变化率。表示了晶振达到稳定的速度。这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。
说明：在多数应用中，晶体振荡器晶体振荡器晶体振荡器晶体振荡器是 长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要 求频率温度稳定度≤±0.3ppm（-45℃~85℃），采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用MCXO只需要十几秒钟）。
频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，因此，其 频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内的总频率变化（如：±1ppm/（ 年）和±5ppm/（十年））来表示。
晶体老化是因为在生产晶体的时候存在应力、污染物、残留气体、结构工艺缺陷等问题。应力要经过一段时间的变化才能稳定，一种叫"应力补偿"的晶体切割方法（SC切割法）使晶体有较好的特性。
污染物和残留气体的分子会沉积在晶体片上或使晶体电极氧化，振荡频率越高，所用的晶体片就越薄，这种影响就越厉害。这种影响要经过一段较长的时间才能逐渐稳 定，而且这种稳定随着温度或工作状态的变化会有反复--使污染物在晶体表面再度集中或分散。因此，频率低的晶振比频率高的晶振、工作时间长的晶振比工作时 间短的晶振、连续工作的晶振比断续工作的晶振的老化率要好。
说明：TCXO的频率老化率为：±0.2ppm~±2ppm（年）和 ±1ppm~±5ppm（十年）（除特殊情况，TCXO很少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下，温度变化引起的频率变化也将大大超过温 度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）。OCXO的频率老化率为：±0.5ppb~±10ppb/天（加电72小时后），± 30ppb~±2ppm（年），±0.3ppm~±3ppm（十年）。
短稳：短期稳定度，观察的时间为1毫秒、10毫秒、100毫秒、1秒、10秒。
晶振的输出频率受到内部电路的影响（晶体的Q值、元器件的噪音、电路的稳定性、工作状态等）而产生频谱很宽的不稳定。测量一连串的频率值后，用阿伦方程计算。相位噪音也同样可以反映短稳的情况（要有专用仪器测量）。
重现性：定义：晶振经长时间工作稳定后关机，停机一段时间t1（如24小时），开机一段时间t2（如4小时），测得频率f1,再停机同一段时间t1,再开机同一段时间t2,测得频率f2.重现性=（f2-f1）/f2.
频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器晶体振荡器晶体振荡器晶体振荡器频率的峰值改变量。
说明：基准电压为+2.5V,规定终点电压为+0.5V和+4.5V,压控晶体振荡器在+0.5V频率控制电压时频率改变量为-2ppm,在+4.5V频率 控制电压时频率改变量为+2.1ppm,则VCXO电压控制频率压控范围表示为：≥±2ppm（2.5V±2V），斜率为正，线性为+2.4%.
压控频率响应范围：当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。
说明：VCXO频率压控范围频率响应为0~10kHz.
频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
说明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%,≤±20%.简单的VCXO频率压控线性计算方法为（当频率压控极性为正极性时）：
频率压控线性=±（（fmax-fmin）/ f0）×100%
fmax:VCXO在压控电压时的输出频率
fmin:VCXO在压控电压时的输出频率
f0:压控中心电压频率
单边带相位噪声￡（f）：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。
输出波形：从大类来说，输出波形可以分为方波和正弦波两类。
方波主要用于数字通信系统时钟上，对方波主要有输出电平、占空比、上升/下降时间、驱动能力等几个指标要求。
随着科学技术的迅猛发展，通信、雷达和高速数传等类似系统中，需要高质量的信号源作为日趋复杂的基带信息的载波。因为一个带有寄生调幅及调相的载波信号（不 干净的信号）被载有信息的基带信号调制后，这些理想状态下不应存在的频谱成份（载波中的寄生调制）会导致所传输的信号质量及数传误码率明显变坏。所以作为 所传输信号的载体，载波信号的干净程度（频谱纯度）对通信质量有着直接的影响。对于正弦波，通常需要提供例如谐波、噪声和输出功率等指标。
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