本设计实例介绍了对某种旧设计的增强措施(参考资料1)。图1中的电路使用常开型单刀单掷按钮开关S1,它代替了原始设计要求的单刀双掷开关。您可以使用膜片开关来大大简化该器件的工业设计并增强它的人机控制特性。另外,该电路消除了流过未动作开关的电流,由此略微减少了工作模式中的泄漏电流。

在待机模式,MOSFET Q1保持关断,并且从电池消耗的泄漏电流不到1mA。按动开关S1就会通过二极管D1把Q1的栅极拉到地,由此接通Q1。稳压器IC1接通,并向微控制器IC2供电。微控制器启动,并使它的P1.1输出认定为高电平,从而接通晶体管Q2,并锁住系统的电源来释放S1。同时,电阻器R3把微控制器的输入P1.2拉至VCC。第二次按动开关S1,就会通过二极管D2把微控制器的P1.2输入拉低,并用信号把按钮被按动事件通知给固件。在完成程序后,微控制器把它的输出P1.1认定为低电平来关断Q2,从而关断Q1,由此使系统断电,直到用户再按动S1重新开始该过程。
在选择元件时,应确保Q1的栅极/源极击穿电压超过可能的输入电压,否则就使用齐纳二极管来限制施加给Q1的栅极/源极电压。如果稳压器IC1
包含一根通/断控制引脚,那么您可以忽略Q1。为了用不同的电源开关器件(比如NPN双极晶体管或继电器)代替Q1,就应指定Q2来提供该开关器件需要的控制电流。为了进一步减少电路的元件数量,可以用合适的共阴极双二极管阵列(比如BAV70)代替二极管D1和D2。正如许多现代微控制器那样,如果IC2包含内置上拉电阻器,就可以省去电阻器R3。
[1]. BAV70 datasheet https://www.dzsc.com/datasheet/BAV70_160956.html.
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