飞思卡尔推出拥有FlexMemory的(TFS)闪存技术

　　飞思卡尔半导体近期宣布针对其下一代微控制器 （MCU） 平台提供 90纳米（nm） 薄膜存储器 （TFS） 闪存技术。这种先进技术预计将会针对正在应用的飞思卡尔 MCU中部署，还有消费电子、医疗器械、家用电器及智能计量系统等各种产业。

　　飞思卡尔同时还推出了 TFS 闪存的重要特性 --FlexMemory。FlexMemory 提供简单、经济且高效的片上增强型电可以擦除编程的只读存储器 （EEPROM），提供该行业的灵活性搞、性能强及持久性长等附加的优势。用户可以将FlexMemory 用作附加的闪存存储器进行单独部署，也可以作为 EEPROM 和闪存存储器的组合进行部署。

　　“我们的目标是为开发人员提供即插即用解决方案，旨在减少成本及上市时间的加快。也为了帮助他们显示自己终产品的与众不同。”飞思卡尔的副总裁兼微控制器解决方案集团的总经理 --Reza Kazerounian 表示，“我们日前宣布的技术改进将有助于解决上述问题，并证明我们有能力始终保持嵌入式 MCU 的地位。”

　　飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存技术的重要特性

　　随着 TFS 技术的完成，飞思卡尔能够实现以下几点优势：

　　1.通过具有革命性的纳米硅技术提供业内的比特级可靠性；

　　2.快速、低电压的晶体管可以提供低功耗的读取功能，整个闪存在操作时电压可降低到 1.71 伏，达到功率敏感型的应用日益提高的水平；

　　3.闪存接入时间完全可以不超过 30 纳秒；

　　4.域效率相对出众，在各种闪存密度上实现高密度的存储和外设集成功能。

　　FlexMemory 在飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存技术中新增了 EEPROM 这一重要特性，并在传统 EEPROM的基础上完成了多项改进，包括：

　　1.在确保现有 EEPROM容量（高达 16KB）和持久性（在整个适用温度和电压范围超过一百万循环）的同时，提供客户多个选项及应用优化；

　　2.擦除和写入仅需 1.5 微秒即可完成，这可比传统 EEPROM 解决方案快五倍。

　　飞思卡尔 FlexMemory 的多功能性使其可以运用于多种用途，其中包括额外的应用程序编码存储，还有用于数据表或字节写入/删除系统数据的存储。在所有的模式中，FlexMemory可与主程序存储器一起进行访问。