英特尔CEO在2009IDF上展示首款22nm晶圆

　　9月24日消息，昨天在美国旧金山2009年秋季英特尔信息技术峰会（Intel Developer Forum, IDF）上，英特尔总裁兼执行官保罗·欧德宁（Paul Otellini）展示了世界上首款基于22纳米制程技术的芯片。

　　          欧德宁展示世界上款基于22纳米制程技术可工作芯片的硅晶圆

　　◆ 在处理器和其他逻辑芯片使用22纳米制程技术之前，SRAM作为测试平台证明了22纳米的技术性能、工艺良率和芯片可靠性。

　　◆ 英特尔22纳米技术现在处于全速发展阶段，按既定步调将"Tick-tock模式"推进到下一代。

　　◆ 该22纳米测试电路包括用于22纳米微处理器的SRAM存储器和逻辑电路。

　　◆ 在364兆位的阵列中，有单位面积为0.108平方微米和0.092平方微米的SRAM单元在工作。0.108平方微米的单元为低电压操作而优化；而0.092平方微米的单元为高密度而优化，而且是迄今所知电路中可工作的的SRAM单元。单颗DIE内能够容纳恐怖的29亿个晶体管，密度大约是之前32纳米芯片的两倍。

　　◆ 22纳米尺寸使用的曝光工具波长为193纳米，证明了英特尔精妙的光刻技术。

　　◆ 22纳米技术延续了摩尔定律：晶体管更小，每个晶体管能效（性能/瓦）更高、成本更低。

　　欧德宁表示："在我们的关键增长领域，英特尔酷睿和凌动处理器已经带来了空前的反响和机遇。在这个良好势头的基础上，我们正努力通过所有的计算设备，为人们创造无缝的互联网体验。今天，我们将发布一项计划，鼓励开发只需编程序即可在Windows和Moblin设备上同时运行的应用软件--并使之扩展到更多的设备，让更多的消费者受益。"