ST推出采用90nm技术的STM32微控制器

时间:2011-09-03

  意法半导体宣布在基于ARM Cortex-M系列处理器内核的微控制器研发项目上取得突破,推出业内首款采用90nm技术嵌入式闪存的微控制器。

  ST的首批采用90nm嵌入式闪存制程生产的STM32微控制器的运行速度更快,功耗更低,外设集成度更高,片上存储密度更大。90nm嵌入式闪存技术的性能已经在智能卡和汽车电子IC上得到实证。意法半导体已于2009年发布了内嵌90nm 闪存的微控制器的样片。

  由于ARM Cortex-M3的性能高于闪存技术,在运行频率较高时,处理器必须等待闪存,意法半导体独有的ART存储器加速器可平衡这一固有的性能差距。现在,在运行频率达到120MHz时,CPU无需等待闪存,提高系统的总体速度和能效。

  为了在这个频率上释放处理器的150 DMIPS的全部性能,加速器实现了指令预取队列和分支缓存,从闪存执行程序的速度达到120MHz,零等待状态。其它品牌的Cortex-M3微控制器的性能只有在120MHz频率以上才能超越,但是高频率换来高功耗和高散热量。

  现在有了这种性能,开发人员可以在微控制器上执行更多的系统功能,无需使用更加昂贵的微控制器或伴随DSP芯片。例如,在多媒体应用中,客户将能够实现音频编解码、视频处理、数据加密、数字过滤和多协议网关,剩余的资源足以处理其它任务。

  目前几乎没有几家公司研制出采用这种制程的任何架构的微控制器,但意法半导体利用现有安全微控制器和车用微控制器的投资,研发90nm嵌入式闪存技术,来实现基于32位ARM Cortex-M3内核的STM32微控制器的性能和成本优势。2009年第四季度部分客户将获得样片,新产品2010年开始量产。这些微控制器的特性包括:运行速度快,外设集成度高,节能降耗,提供当前市场上密度的片上SRAM和非易失性存储器。

  STM32系列已是市场上产品系列宽广的ARM Cortex-M3微控制器。这款处理器内核提供先进的处理功能、卓越的实时性能和的代码密度。在此基础之上,STM32器件增加了优异创新的外设以及多项特性,例如,具有快速唤醒功能的多种低功耗模式,实现的性能和能效。全系列微控制器的引脚、软件和外设相互兼容,有助于提高设计人员开发产品的速度和设计灵活性。

  “自2007年面市以来,STM32系列微控制器引导16位和32位微控制器应用的融合,在多个应用市场上赢得多项设计,取得巨大成功,” 意法半导体微控制器产品部总经理Jim Nicholas表示,“连续不断的创新改进造就了业内丰富的Cortex-M3微控制器产品组合,把STM32系列升级到90nm制程技术,将会实现功能更丰富的应用,达到更高的性能标准甚至更高的能效。”

  目前意法半导体共计有70余款STM32产品在量产,在性能、特性和封装方面为客户提供大量的选择,现有产品分为基本型、USB系列、增强型和互联型四大系列,2009年又发布了STM32W无线系列,很快还将发布以超低功耗技术为特色的STM32L系列。



  
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