Velocity LP NV-RAM 为相变存储器提供无缝架构途径

　　恒忆推出 Velocity LPTM NV-RAM 产品系列，此系列是业界快速的低功耗双倍数据传输速率 （LPDDR） 非挥发性存储器，不但可以给手机和消费性电子产品厂商提供更高的存储性能，而且比目前其他解决方案价格更低。这些装置在提供高动态随机存储器（DRAM）内容平台低成本解决方案的同时，还可达到比传统NOR Flash存储器快两到三倍读取频宽的性能。恒忆 Velocity LP NV-RAM 系列的推出为该公司未来相变存储器 （PCM） 产品提供了无缝的架构途径。

　　相变存储器（PCM）是一种非易失存储设备，它利用材料的可逆转的相变来存储信息。同一物质可以在诸如固体、液体、气体、冷凝物和等离子体等状态下存在，这些状态都称为相。相变存储器便是利用特殊材料在不同相间的电阻差异进行工作的。

　　无线电话中的数字图像、影像、游戏及其他应用程序都对存储器提出了更高要求，为满足这些要求，大多数的手机制造商会采用结合如NOR、NAND等非挥发性存储器以及成本低廉的RAM技术。其中由于各种存储器类型需要不同的硬件和软件接口，经常迫使设计人员在存储系统性能与支持更多接口之间得做出妥协，因而提高系统成本。

　　恒忆Velocity LP NV-RAM将系统中不同的存储器的特性结合在一个广为接受LPDDR 接口上，有助于简化系统架构、提升速度并降低成本。由于此非挥发性存储器也具有执行功能，因此设计人员可以 RAM的 速度读取数字内容，并降低系统的 LP RAM 需求以减少存储系统成本，此接口同时可协助系统设计人员使用相同架构来扩充存储系统，以支持从低端到高端的各种电话。

　　恒忆Velocity LP NV-RAM 系列与 2007 年 11 月所发布的 JEDEC 低功耗双倍数据传输速率 （LPDDR） NVM 标准兼容。恒忆将持续推出新产品来迎合产业未来新一代接口标准，此次开发的产品是推出更快速非挥发性存储器的步，并借此降低移动平台加载额外 RAM 的需求。

　　在研发Velocity LP NV-RAM 系列产品过程中，恒忆便积极与产业链及客户合作，预期LPDDR NV-RAM 解决方案将在 2009 年面市。ARM 处理器部门营运暨光纤 IP 副总裁 Keith Clarke 表示，LPDDR-NVM 接口具有显着优势，使开发人员得以实现ARM*架构的移动应用。ARM与恒忆密切合作，使AMBA* 3 AXI* 型 ARM PrimeCell* PL340 动态存储控制器能够搭配恒忆Velocity LP NV-RAM 解决方案，主要合作伙伴目前也已经顺利采用此款产品。

　　以软件与封装提高价值

　　除了提供创新的 NVM 硅产品外，恒忆也提供创新的软件解决方案。它所推出的 XIP 文件系统 （AXFS，Advanced XIP File System）让软件设计人员和架构人员能够运用单一文件系统，支持 NV-RAM、NOR、NAND 和 RAM 技术，以及日后的 PCM 型产品。AXFS 软件可压缩未使用的代码页，协助设计人员得以在特定密度下多获得 50%的储存量，并化设计过程中的系统层级效能与成本，同时减少 RAM 需求以降低系统功耗。

　　通过创新的封装技术，恒忆运用单一的封装层迭（package-on-package）解决方案提升共享 RAM 和 Velocity LP NV-RAM的优势，设计人员可结合处理器推出高性能而低成本的存储解决方案。在同一总线安装 RAM 和 Velocity LP NV-RAM，恒忆使存储器能够相互堆栈，节省电路板的实体空间或“存储体积”。

　　恒忆简介

　　海力士-恒忆半导体有限公司是由韩国（株）海力士半导体和欧洲Numonyx.B.V.公司在江苏无锡新区出口加工区合资建造的世界一流存储器制造的外商独资公司。 其主要产品为8英寸及12英寸集成电路晶圆，应用范围涉及存储器、消费类产品、移动、SOC及系统IC等领域。 公司将采用世界的技术来生产DRAM和Nand 闪存。 该项目是无锡市惟一获得国务院核准建设的工业项目，总投资为35亿美元，是国内半导体单体投资规模、技术的项目，也是江苏省的外商独资项目。 作为两个在半导体行业举足轻重集团的合资公司，海力士-恒忆半导体有限公司必将迈着稳健的步伐，前进在成长的繁荣道路上。