美光科技（Micron Technology, Inc）今天推出了第三代低延时DRAM （RLDRAM○R 3内存）—一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。视频内容、移动应用和云计算的蓬勃发展，对网络基础设施提出了更高效的要求，以便在线传输大量数据。与前几代产品相比，美光新的RLDRAM 3内存进一步提高了存储密度和速度，同时限度地减少了延迟，降低了功耗，在网络应用中性能更好。
美光的DRAM营销副总裁Robert Feurle说：“随着互联网内容消费的不断增长，人们日益需要有一种能支持网络流量增长的技术，美光的RLDRAM 3内存满足了这种需求”。
对于现有的RLDRAM 2，美光将继续提供水平的技术支持，并计划长期生产该产品。此外，美光正将其RLDRAM 2产品组合转入更先进的50nm工艺，提高系统性能，降低功耗。
美光新的RLDRAM 3内存的主要特点及优点有：
-低延时：tRC不足10纳秒，是业界的随机存取延时
-高密度：576Mb-1Gb，灵活性高，可用于多种设计
-高速率：达2133Mb/s，数据存取速度更快
-高能效：1.2V IO和1.35V内核电压，更省电
美光维持着庞大的合作伙伴网络，使其RLDRAM存储解决方案能更方便地与网络设备集成。美光与其合作伙伴展开了广泛合作，为客户提供量身定制的解决方案，优化网络系统性能。作为这个价值生态系统的一部分，美光目前合作的FPGA公司有Altera Corporation和Xilinx，RLDRAM 3内存可集成到其产品系列中。
Altera组件产品营销资深总监Luanne Schirrmeister说：“Altera的28nm Stratix V FPGA包括新的硬化数据通路，针对美光内存设有高性能、低延迟接口。RLDRAM 3内存的发布让我们的内存带宽可高达1600 Mbps，为行业内速度，大幅降低了延时。美光新的存储产品搭配Altera新的内存接口架构是一项重要技术成果，是我们与美光多年技术合作的一项之作。”
Xilinx应用和技术营销资深总监Rina Raman说：“Xilinx 7系列FPGA应用于的网络设备，用于满足全世界对带宽无止尽的需求。我们与美光合作，支持其新的RLDRAM 3技术，让我们的客户能够开发网络平台，来满足严格的基础设施需求。”
美光预计将在2011年上半年开始对其RLDRAM 3进行抽样，目前正与客户合作，征求其对RLDRAM 3内存设计的意见。此外，美光预计将在2010年第四季度开始对其50nm RLDRAM 2产品进行抽样。
美光半导体（西安）有限责任公司是镁光科技（Micron Technology）在西安高新区新设立的外商独资企业，是目前陕西省的外商投资企业之一，并且是的先进半导体解决方案提供商之一。公司的主要业务是集成电路封装测试和内存模块装配。美光依托性运营，制造和销售一系列DRAM、NAND和NOR闪存、以及其他创新存储技术、包装解决方案和和半导体系统，用于前沿计算、消费、联网和移动产品。美光的普通股在NASDAQ上市交易，代码为MU。
美光和美光轨道标识属于美光商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。RLDRAM是Qimonda AG在许多国家的注册商标，由美光使用，但须经Qimonda授权。
本新闻稿包含前瞻性陈述，涉及美光新的RLDRAM 3内存的生产以及和50 nm RLDRAM 2样品的供应。实际情况或结果可能与前瞻性陈述大相径庭。请综合参阅美光不时在证券交易委员会存档的文件，特别美光的10-K表和10-Q表。这些文件载有并明确指出了可能会使美光实际综合业绩与前瞻性陈述大不相同的重要因素（见某些因素摂）。虽然我们认为，前瞻性陈述反映的预期非常合理，但我们不能对未来结果、活动水平、业绩或成就给予保证。
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品，均为本网合法拥有版权或有权使用的作品，欢迎转载，注明出处。非本网作品均来自互联网，转载目的在于传递更多信息，并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。
