首款速率高达4.8Gbps的DDR2 FB-DIMM诞生

　　2005年8月26日，北京讯——今天，在旧金山召开的英特尔开发商论坛（IDF）上，的内存产品供应商英飞凌科技公司（FSE/NYSE：IFX）宣布，该公司正在推出双数据速率2（DDR2）全缓冲内存模块（FB-DIMM）样品，英飞凌是业界能设计和生产FB_DIMM所有关键部件的公司。容量在512MB到4GB之间的新型FB-DIMM，基于英飞凌出品的内存缓冲（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片及其自主开发的散热器。另外，英飞凌还为其他FB-DIMM生产商提供AMB逻辑芯片，并且已经将样品发给了批客户。

　　日前，英飞凌科技（Infineon Technologies）公司宣布开始提供业界仅有的双倍数据率2全缓冲双列直插存储器模块（DDR2 FB-DIMM）样片，所有的关键元件都由英飞凌自行设计和制造。新款FB-DIMM密度在512MB至4GB，基于英飞凌提供的先进存储器缓存（AMB）芯片、DDR2 DRAM芯片和专有散热器。

　　FB-DIMM把现行寄存式DIMM的并行结构变成了串行点到点连接。这将消除新一代服务器内存容量增加与速度升级导致的吞吐量瓶颈。英飞凌设计生产的AMB，是一个高度复杂的逻辑芯片，它将控制点到点连接，代AMB能提供4.8Gbps的数据速率来实现与传输速度高达800Mbps 的DDR2 DRAM的直接高速链接。除了用于自有模块之外，英飞凌还为其他FB-DIMM生产商提供AMB芯片，从而推进新一代服务器内存的市场渗透。

　　由于可与DDR2 DRAM高速链接直接接口，AMB复杂逻辑芯片能够提供4.8Gbps的数据速率，而代DDR2 DRAM的速率则在800Mbps级别以下。除了使用自己的模块以外，英飞凌也向其它FB-DIMM制造商提供此款AMB芯片。

　　作为FB-DIMM开发领域的先驱，英飞凌在2004年8月推出了业内款AMB测试芯片，并在2005年2月的IDF论坛上成功展示了DDR2平台上的系统启动。今天宣布的这代FB-DIMM将运用速度级别在553和667Mbps的DDR2 DRAM，今后将进一步提升到800 Mbps。

FB-DIMM

　　定制的FB-DIMM样片密度分别有512MB、1GB、2GB和4GB，分别基于512Mb和1Gb的DDR2 533和DDR2 667。英飞凌推出的数据速率达4.8Gbps的AMB芯片采用665球高性能BGA封装。现在该产品也有样品提供。