一种基于D类音频放大器的输出滤波器的设计与实现

时间:2011-07-12

  在便携式及小型化消费类产品中,D类音频功率放大器的应用已非常普遍。本文介绍了D类音频放大器的输出低通滤波器的设计原理,给出了滤波器中电感和电容值的计算方法和选择时的考虑因素。本文还以美国国家半导体的。

单片D类音频放大器的组成 www.elecfans.com

  图1:单片D类音频放大器的组成。

  目前,在大多数便携式及小型化消费类产品,如MP3、便携式DVD和平板显示器等中,开关模式(D类)音频功率放大器的应用已很普遍。由于D类放大器的功耗较低,因此能够实现较高的效率。它延长了便携式设备的电池使用寿命,并能够减小散热器的尺寸和PCB的面积,从而节省了系统成本。所以,许多大型平板显示器和消费类音频产品都更愿意采用此类放大器。

  不过,D类放大器,是通过控制开关单元的ON/OFF,驱动扬声器的放大器。D类放大器首次提出于1958年,近些年已逐渐流行起来。D类放大器在过去的几代产品中,已经得到了巨大的发展,系统设计者极大地改善了系统的耐用性,并提高了其音频质量。

  在D类调制器中,通过将音频信号与高频固定频率信号比较,并将结果在固定频率的载波上调制,数字音频信号被转换成了PWM信号。形成的信号是可变脉宽的固定载波频率(通常在几百kHz),然后由高压功率MOSFET对这些PWM信号进行放大,放 大后的PWM信号再通过低通滤波器去掉载频,恢复出原始基带音频信号。

  虽然这种拓扑结构很有效,但它也导致一些不希望的后果,如大量的辐射EMI。由于调制器采用固定频率载波,因此将产生基载波的多次谐波辐射。而且,由于PWM信号自身的开关特性,过冲/下冲和振铃将产生固定比率的高频(10~100MHz的范围)辐射EMI。为了压制辐射EMI,一代PWM调制器发展的趋势是采用扩展频谱调制技术。

  扩展频谱调制技术用于在更大的带宽内扩展开关PWM信号的频谱能量,而不改变原始音频的内容。一个改进传统调制器高辐射EMI的有效方法是改变PWM开关信号的两个边沿,如图1所示。信号以载波频率为中心,但任何一个边沿都不是按周期重复的。这不仅维持了固定载波频率,而且由于边沿不是以固定比率跳变的,载波频率上的辐射能量就得到了极大的降低。

  由于我们需要从数字化或调制信号来恢复所需的真实音频信号(音乐),因而必需采用一个输出低通滤波器来滤除高频分量,以再生与人类听觉系统相匹配的真实模拟信号。

  这里,我们将阐述一些有关输出低通滤波设计的考虑因素和建议。

BTL半电路模型 www.elecfans.com

  图2:BTL半电路模型。

  D类放大器:单片式D类音频放大器包括模拟音频输入、调制器、功率晶体管等(见图1)。

  输出滤波器设计:由于我们需要恢复所需的音频信号,因此重要的是设计出一款的输出低通滤波器,以滤除高频分量(无用信号)并获得高品质的模拟声音。我们必须设计具有特定电抗性输出阻抗的输出滤波器,以便与负载阻抗相匹配。BTL半边电路模型如图2所示。

  D类放大器的输出滤波器通常是一个二阶、LC型Butterworth(巴特沃斯)滤波器。这里给出一幅参考曲线图,用于显示巴特沃斯、Bessel(贝塞尔)和chebyshev(切比雪夫)型滤波器的LPF响应(图3)。



  图3:巴特沃斯、贝塞尔、切比雪夫型滤波器的低通滤波响应的比较。

  对于一个实际的BTL电路,输出滤波器如图4所示。

  推导出的BTL滤波器方程为:

  根据上面的方程,表1列出了对应于特定fc和RL的电感(L)值和电容(C)值。

  电感的选择:在输出滤波器中,电感是关键元件。它与D类音频功率放大器系统的直流电阻和额定峰值电流规格有关。直流电阻反映了总输出功率的效率。系统的效率可由下式来估算:

  

 

  式中:RL是扬声器的直流电阻,RDSON是D类放大器内部的输出驱动器的晶体管导通电阻;RIND是电感的直流电阻。

 


  图4:实际的BTL电路输出滤波器。

  除了选择合适的电感值以获得某一特定的截止频率之外,输出电感的直流电阻是影响总体效率的另一个关键参数。因此,强烈建议采用直流电阻较低的电感。

  对于电感而言,另一个必须考虑的重要参数是其额定电流。如果电感的额定电流不足以维持器件的输出电流,则电感将起短路的作用。这将使器件或扬声器受到大电流的伤害。

LM4680的应用框图 www.elecfans.com

  图5:LM4680的应用框图(LC输出滤波器的取值确定)。

  值得一提的是,为了降低失真、EMI和串扰,建议采用屏蔽式电感(例如:壶形铁芯电感)。

  壶形铁芯以其卓越的屏蔽性能而着称,这是因为除了用于穿越导线的两个窄槽之外,电感线圈被磁芯完全包围。欢迎转载,本文来自电子发烧友网

  电容的选择:在评价高频片式电容的过程中,重要的参数之一便是Q(品质因数),或者相关的等效串联电阻(ESR)。

  简单地说,ESR就是给定频率条件下电容中的所有串联和并联损耗的衡量尺度。从理论上讲,“理想”电容的ESR将为0Ω,并且是纯电抗性的,没有实部(阻性)分量。流经电容的电流在所有的频率上都将恰好超前电容两端的电压达90。


  
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