硅压力传感器的可靠性强化试验

时间:2011-10-11

  目前MEMS (M icroelectromechanical System )技术已经朝着微型化、集成化及智能化的趋势发展。基于MEMS工艺的硅压阻式压力传感器已经广泛应用于航空、石油化工、动力机械、生物医学、气象、地质以及地震测量等领域中, 成为当今发展高新技术装备不可缺少的电子产品。而硅压阻式压力传感器的一些参数随环境应力的改变而发生变化, 为了使产品在使用过程中的可靠性有保障, 尽早发现硅压阻式压力传感器系统设计和制造工艺缺陷是解决上述问题的根本。但是,MEMS器件可靠性标准的缺乏和研究人员对MEMS器件的可靠性研究不足, 限制了它的使用,以及可靠性的提高。因此, 为保证产品在使用过程中可靠性有保障, 笔者通过对硅压阻式压力传感器进行可靠性强化实验, 对其进行定性的分析,提出相关改进措施。

  1 可靠性强化试验装置

  强化试验必须满足假设: 受试品在短时间、高应力作用下表现得特性与产品在长时间、低应力作用下表现出来的特性是一致的。对13种不同应力的筛选结果调查表明, 温度循环是有效的筛选, 其次是随机振动。因此, 将温度试验平台与振动试验平台做为可靠性强化测试平台(图1)。

 

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