结型场效应管（JFET）的主要参数

　　（1）. 夹断电压VP

　　当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅-源极间所加的电压即夹断电压。

　　（2）. 饱和漏极电流IDSS

　　在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。 IDSS是结型场效管管子所能输出的电流。

　　（3）. 直流输入电阻RGS

　　它是在漏-源极间短路的条件下，栅-源极间加一定电压时，栅-源极间的直流电阻。

　　（4）. 低频跨导gm

　　当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅-源电压vGS的微小变化量之比为跨导，即

　　gm反映了栅-源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数。单位为西门子(s)，有时也用ms或μs表示。需要指出的是，gm与管子的工作电流有关，iD越大，gm就越大。在放大电路中，场效应管工作在饱和区(恒流区)，gm可由式和  求得，即

　　（5）. 输出电阻rd

　　当vGS为常数时，漏-源电压的微小变化量与漏极电流iD的微小变化量之比为输出电阻rd，即

　　rd反映了漏-源电压vDS对iD的影响。在饱和区内，iD几乎不随vDS而变化，因此，rd数值很大，一般为几十千欧~几百千欧。

　　（6）. 极间电容Cgs、Cgd、Cds

　　Cgs是栅-源极间存在的电容，Cgd是栅-漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF，而漏-源极间的电容Cds约为0.1~1pF。在低频情况下，极间电容的影响可以忽略，但在高频应用时，极间电容的影响必须考虑。

　　（7）. 漏-源电压V(BR)DS

　　指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小与vGS有关，对N沟道而言，|vGS|的值越大，则V(BR)DS越小。

　　（8）. 栅-源电压V(BR)GS

　　指栅-源极间的PN结发生反向击穿时的vGS值，这时栅极电流由零而急剧上升。

　　（9）. 漏极耗散功率PDM

　　漏极耗散功率PD(=vDSiD)变为热能使管子的温度升高，为了限制管子的温度，就需要限制管子的耗散功率不能超过PDM。PDM的大小与环境温度有关。

　　除了以上参数外，结型场效应管还有噪声系数，高频参数等其他参数。结型场效应管的噪声系数很小，可达1.5dB以下。