在类似半桥转换器或者同步降压转换器的应用中，将功率MOSFET用作高侧开关的栅极驱动的要求总结如下：
——栅电压必须比电源电压高出6至12V。为了完全开启高侧开关，必须将栅源电压提高到大于阈值电压加上完全开启MOSFET所需的电压。
——必须通过逻辑电平控制栅电压，通常会以接地为参考电压。因此，需要将控制信号电平移位到高侧MOSFET的源极（HS结点），而在大多数应用中，电平在接地和高压轨之间摆动。
——必须将栅驱动器的功耗维持在封装散热的限制之内。高度集成的栅驱动器IC集成了下列模块。
——低侧栅极驱动器
——高侧电平移位器
——高侧栅极驱动器
——高侧和低侧驱动器的欠压锁定保护
——自举二极管
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