摘要:本文对标签天线的集成化技术进行研究,并且采用遗传算法对片上天线的几何参 数和工艺参数进行优化,快速得到满足性能要求的天线尺寸。仿真结果表明,在工艺方法确 定的情况下,采用此优化算法得到的天线可以更好地提高电路的工作效率。并且,如果工艺 方法可选,此优化算法还可以对工艺参数进行优化,进一步提高电路工作效率。
1 引言
射频识别技术是一种无线的、非接触方式的自动识别技术,是近几年发展起来的前沿科 技项目。而标签天线作为射频识别系统实现的关键部件,它的优化设计对于降低成本, 减小体积起到重要的作用。低频和高频频段标签天线的主要形式是线圈。在低频频段减小天 线体积的方法主要是在线圈中插入具有高磁导率的铁氧体材料,这样就可以提高天线的磁导 率,即可在等效面积变小的情况下得到足够的开路电压。高频频段主要是采用将天线集成到 芯片上的方法来实现减小体积,降低成本的目的。集成天线可选的结构有平面螺旋形,栅形 和螺线管形,但是考虑到天线的总等效面积只能选用平面螺旋结构。
国内外对平面螺旋结构的集成线圈天线所做的研究很多,但是涉及的内容主要是针对集 成天线在超高频下线圈Q 值的提高问题 。在较低频率的场合,线圈本身的Q 值十分小, 对系统的工作性能并不能起到决定性的作用。在这样的情况下更关注能量的传递能力,所以 我们关注的不再是电感本身的Q 值,而是整个电路的Q 值,即电路的工作效率。现有的高频 频段集成线圈天线的设计主要是依靠经验选择参数进行重复迭代 ,这样的方法要求设计 人员有一定的背景知识,需要依靠经验对参数进行选择和调节,而且工作重复费时。并且由 于采用简单的迭代选择的方法,可改变的参数有限,所以都是在特定工艺的前提下进行设计。
本文使用遗传算法对片上天线的几何参数和工艺参数优化。可以根据实际情况和用户的要求设定约束条件,如版图面积,开路电压,输入功率等。通过设定约束条件,可 以设定参数的调节范围和天线的性能要求,便可以在更大范围内自主地选择合适的参数以提 高能量传递效率。
2 运用遗传算法对集成线圈天线进行优化设计
遗传算法是一种有效的全局搜索方法 ,从产生至今不断扩展其应用领域 ,比如工业设 计、制造业、人工智能等。在本节中 ,将介绍利用遗传算法优化设计应用于高频标签的集成 线圈天线的方法 ,本文利用回路品质因数作为适应度函数 ,求满足系统要求并且电路效率 的线圈几何参数。
2.1 染色体设计和初始化
集成线圈天线的设计是通过设计适当的几何尺寸,使线圈达到系统要求的性能。而线圈 需要变化的几何参数有外边长l,线圈匝数n,线宽w,间距s,金属厚度t,螺旋结构与衬底间 的氧化层厚度tox,螺旋结构与下层通道之间的氧化层厚度tox/2。在工艺条件可选的情况下, t,tox,tox/2 这三个工艺参数可以参与优化,参与进化的参数为{l,n,w,s, t,tox,tox/2}。在工艺条件固 定的情况下,t,tox,tox/2 是定值,此时参与进化的参数为{l,n,w,s }。我们将每个十进制参 数编码成一个8 字节的二进制数,然后将所有参与进化的参数的二进制数组合起来形成一个 染色体。
在遗传算法初期,要生成一个初始种群,这个种群是由M 个染色体构成的。其中,对于 群体大小M 的选择方面,Goldberg 提出了一种根据染色体长度来计算种群大小的启发 式求解方法 ,但是运用这种方法计算的种群大小M 随染色体的长度程指数递增,这样庞大 的种群数目对计算效率影响是很大的。在其后,Hesser 等提出合理的种群大小应该控制在3 到110 之间 。
本文将群体大小M 设定为50. 2.2 个体*价 一个染色体的好坏,需要利用适应度函数进行*价,并且设定一些约束条件对染色体的 进化方向进行进一步的引导。本文对集成线圈天线的设计主要是通过选择适当的几何参数, 使线圈天线能够满足芯片的版图要求lmax,工作电压Vr 以及工作功率Pr 的要 求,在此基础上进行进化,得到的回路品质因数Q,以达到提高电路工作效率的目的。
(1)适应度函数
设定适应度函数:f(n)=Q(n),用回路品质因数的大小来衡量染色体的适应性。 如图一所示为集成线圈天线的等效电路,其中开路电压V2P-P 是标签天线通过与阅读器天 线的耦合获得的电压。根据 Farady 定律和Biot-Savart 定理天线的开路感应电压 V2P-P 为: V2P?P = 2π fBA ,其中f 为天线的工作频率,B 为磁感应强度,A 为线圈的等效总面积其算式为: A= nl2 -2len(n-1)+(2/3)e2n(n-1)(2n-1)
集成线圈的等效物理模型采用Yue 提出的三端等效模型,如图二所示,其中Rs 为线 圈的寄生电阻,表征了由金属螺旋结构引入的能量损耗;寄生前馈电容Cs 主要是由螺旋 结构与下层通道之间的交叠决定的,而由于相邻金属线可视为等电位,因此相邻金属线之 间的电容可以忽略。Ls 为线圈的电感,根据GreenHous提出的Bryan 法进行计算。其计 算公式如下:
(2)约束条件设定
为了提高进化效率,尽快的得到所需的进化结果,我们设定一些约束条件对进化方向进 行引导限制。这样的约束条件有些是必须满足的,在选择过程中,不满足这些约束条件的染 色体会被自动剔除掉。根据集成线圈的一般特点,设定参数的取值范围如下: 0μm 同时,为获得更大的搜索空间,当染色体不满足有些约束条件时,设定一定的惩罚措施 来减弱这个染色体的竞争性,但是并不剔除。在集成线圈天线的设计中,我们要设计出性能 满足系统要求的天线,所以设定约束条件为:VL ≥ Vr, P ≥ Pr ,l ≤ lmax。当染色体不满足这样的 约束条件的时候,我们设定一个惩罚函数来减小这个染色体的竞争能力,此时,这个染色体 的适应度减弱为: f (n) Q(n) 10-5 2.3 遗传算子 标准 GA 的操作算子一般包括选择、交叉和变异三种基本形式。选择即从当前群体中选 择适应度高的个体以生成交配池的过程。本文使用适应度比例选择的方法 ,其中每个个体被 选择的期望值与其适应度和群体平均适应度的比例有关 ,采用轮盘赌方式实现。首先计算每 个个体的适应度 ,然后计算出此适应度在群体适应度总和中所占的比例 ,表示该个体在选 择过程中被选中的概率。选择过程保证优良基因能够遗传给下一代个体。选择完成后,染色 体要进入交叉运算和变异运算。本文选定交叉概率pc 为0.5,变异概率pm 为0.01,一代染 色体中以这样的概率选择部分染色体进行交叉和变异操作。 2.4 终止条件设计 染色体进化到一定的代数必须进行终止,然后终得到的染色体就是的结果。我们 可以设定当某些数值达到理想值时进化终止,也可以设定一个终止代数T,进化T 次之后自 动终止。本文是要得到的回路品质因数,它并没有一个要达到的目标值,所以我们设定 一个终止代数作为它的终止条件。在设定不同的终止代数进行仿真后发现,在大约400 后, Q 值不再升高,即是运行400 代后已经可以得到的品质因数。所以我们设定终止代数为 400 代。 3.仿真设计及结果说明 根据上节设计的遗传算法进程运用MATLAB 对集成线圈天线进行优化设计。为了取得对 比效果,选用文献中的实例进行设计。文中天线工作频率为23.45MHZ, 磁感应强度B 为8Gauss,芯片所需工作电压Vr 为3V,功率Pr 为1.2mW,能提供的天线的 外边长lmax 为2mm。针对遗传算法搜索范围大,可变参量多的特点,我们首先将所有参数进 行优化,在更大范围内搜索解。然后,将工艺参数固定,取得与实例的对比效果。更好 地说明遗传算法的优势。具体结果说明如下。 3.1 对所有参数进行优化 将{l,n,w,s,t,tox,tox/2}进行编码生成染色体,运行遗传算法后所得Q 随进化代数不断增加, 如图三所示为回路品质因数Q 随进化代数t 的变化图。在进化50 代后Q 值的变化已经比较 小了,但是在250 代左右的时候Q 值又有个上升。当到达终止代数400 时得到的回路品质 因数为6.0928,此时的染色体为{1866,30,10,1,10,10,3.6}。运用这些参数计算出负 载获得电压为3.4658V,负载功率为1.2mW,并且线圈外边长为1.8mm 是符合版图要求的。 由于本设计设置的参数范围比较大,所以结果出来的Q 值可以达到很大。在实际情况中, 可能由于制造工艺,成本的限制对于各几何参数有进一步的要求,我们可以通过对参数范围 进行重新限定来方便的实现。另外,如果用户对天线的其他性能,如电阻值,电感值,电容 值等有特殊的要求也可以添加相应的约束条件来引导进化的发展,设计出符合指标的天 线尺寸。 3.2 工艺条件固定后的优化 为了与文献实例进行对比,我们取定工艺条件t=1 μm , tox=0.8 μm , tox/2=1.2 μm 。将 {l,n,w,s}进行编码生成染色体,然后运行遗传算法。其回路品质因数随进化代数t 的变化如 图四所示。其变化趋势与上例类似,在进化400 代后终止,得到的回路品质因数为0.3723, 而文献中设计的天线得到的回路品质因数为0.2576。说明运用遗传算法对线圈天线进行 优化设计可以得到更好的优化结果。 此时染色体为{1963 26 10 1 1 0.8 1.2}。运用这些参数计算出负载获得电压为 3.4397V,负载功率为1.2mW,并且线圈外边长为1.963mm 是符合版图要求的。 4.结束语 使用遗传算法进行集成线圈天线的优化,在不限定工艺条件的情况下,可以在更大范围 内搜索得到非常高的回路品质因数。而且在工艺条件指定的条件下,运用遗传对集成线圈天 线的优化设计也可以更有效的优化线圈天线的性能。另外,除了本文设置的参数范围以外, 也可以根据实际的要求任意参数的范围,并且可以任意添加约束条件以适应不同环境的需 求。 [1]. pc datasheet https://www.dzsc.com/datasheet/pc+_2043275.html.
参考文献:
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