微波晶体管器件的发展也经历了微波真空管发展过程中所遇到的相同问题。正如电子渡越时间限制了真空管的工作频率一样，它也限制了半导体器件的工作频率。通过半导体区域所需要的渡越时间不仅仅由该区域的厚度决定，还要受到电子饱和速度的影响。电子饱和速度约107cm／s，这是在一种给定的材料中电子速度所能达到的值。另外，少数载流子处于一种“存储”状态，不能很容易地移动，这就导致了延迟，从而限制了器仵的转换时间。同样，像真空管一样，电极间的电容也限制了晶体管器件的工作频率。尽管采用了可变电容二极管，PN结二极管P区和N区之间的电容也严重，限制了工作频率和转换时间。
第二次世界大战期间开发了一些微波二极管（如1N21和lN23）器件。采用点接触的构造方法（图）部分地解决了电容的问题.点接触二极管使用一个“金属细线式”电极来连接导电电极和半导体。
图 PN结二极管
点接触构造可以追溯到无线电发展的早期。那时接收机内常用的检波器使用方铅矿晶体检波器（一种铅的化合物）。这些早期的“矿石收音机”使用金属细线电极来探测晶体表面无线电信号的整流点。
第二次世界大战中，点接触二极管主要用于混频器来产生中频信号，这个中频信号是雷达信号和本征信号的差频信号。和低频接收机一样，这些早期的超外差雷达接收机在混频器前并不使用射频放大器。尽管点接触二极管的工作频率已经达到了200GHz，但这种器件很容易损坏，而且功率很低。
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