拥有快速写入和超高集成性能的下一代数据存储解决方案

时间：2008-09-08

　　的纯闪存解决方案供应商SpansiON日前宣布计划开发下一代数据存储产品系列，MirrorBit® ORNAND™架构。基于Spansion专有电荷捕获技术的新型MirrorBit ORNAND2™架构将在连接于NAND存储器阵列中采用类似SONOS的45nm存储单元，具有快速写入和高封装密度的特点－－将NAND技术的性能和成本优势与300mm晶圆的成本结构优势发挥到。

　　基于新型架构的产品将主要面向集成闪存市场中的数据存储应用领域；在这种市场中，客户注重的是差异化、高价值的解决方案。新的架构将通过45nm系列解决方案扩大现有MirrorBit ORNAND产品系列；与Spansion 65nm的MirrorBit ORNAND产品相比，不但能将掩膜(mask layer)层的大小减少25%，其品质也远胜于浮动门NAND解决方案。MirrorBit ORNAND2产品预计将于2009年初投放市场。　　新的架构基于Spansion专有MirrorBit技术――目前，采用MirrorBit技术的解决方案总销售额达20亿美元，占整个NOR闪存市场的22%。通过采用通用的技术平台和利用40nm以下的MirrorBit技术具有的可扩展性优势，在同一晶圆厂中可以实现MirrorBit NOR、ORNAND和ORNAND2产品的高效生产。

　　Spansion研发事业部执行副总裁Lou Parrillo博士表示：“Spansion是一家成功实现电荷捕获存储技术大量应用的公司。凭借我们专有的先进的MirrorBit技术、300mm晶圆生产能力以及预计与NAND相当的性能，我们能够进一步扩大已有产品组合，并加快MirrorBit技术的发展步伐。”

　　Spansion正利用在其专有MirrorBit技术应用的过程中所积累的经验来为MirrorBit ORNAND2技术开发一种专有的类似SONOS的存储单元。不同于此前业界生产商试图开发商用化SONOS存储单元而未获成功的情况，Spansion相信，通过架构性的革新和已获证明的生产技术相结合的独特方法，一定能实现性能并加快投产的速度。

　　目标分析（Objective Analysis）总监Jim Handy表示：“随着技术在伸缩曲线上的日渐走低，传统的浮动门闪存在45nm及以下工艺中正逐渐失去竞争力。许多公司都提出将电荷捕获技术作为一种解决办法。Spansion的电荷捕获技术投产已达四年之久，使公司相较竞争对手而言占据先机。而Spansion基于类似于SONOS的存储单元结构的下一代MirrorBit ORNAND2架构必将进一步发挥这种优势，扩大公司在目前由NAND独霸天下的各个领域中的市场机会。”
　　

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