MOSET中加速二极管的效果

　　功率MOSFET与场效应晶体管相比，可以说速度较快，其原因是由于用于ON的时间。tf及下降时间较快。一般的是努力加快上升时间ton及下降时间幻，但实际上辐更重要。

　　MOSFET是双极型的没有载流子积蓄时间，因此可以高速，但它用于OFF的时间。存在，这个是低速的。

　　功率MOSFET的开关特性根据门驱动电路、条件变化很大，所以要进行高速的开关动作，需要很多的知识。

　　图1是将高耐压的功率MOSFET 2SK894(500V、8A)，采用和前面的晶体管相同条件地进行开关时的电路。门极电阻FG为100Ω(此值并不是适合的，这里是为了比较测试)。

　　图1 功率MOSFET的开关特性测定电路

　　MOSFET的门驱动电路，如果不能在门极一源极之间对电容Ciss进行高速地充放电，则不能活用FET的高速开关特性。图2是开关时漏极输出波形和门极驱动输人电流IG(门极电压VGSGS≈7V)的波形。注意当VGS＝0V后，MOSFET到达OFF的时间toff拖长820ns。

　　图2 ZSK894的开关特性

　　ON/OFF的过渡时间(与RG和Ciss有关)里，流过约50mA的门极电流，此时间约800ns。不缩短这个时间就不能改善开关特性。通过波形的观察可知，tf值、tr值都和附加加速电容器的场效应晶体管程度相同，所以不能称为高速。

　　图3是并联连接RG＝100Ω和0.01μF的加速电容器时的开关波形。漏极输出波形的tf、tr值约100ns，而toff＝240ns，实现了高速化。如果制作出合适的门驱动电路，则可更加高速化。

　　图3 2SK894的开关特性

　　观察此时的门输人电流波形，通过加入Cs，FET的输人电容Ciss的充电时间被缩短。