开关动作的实验

　　图1表示晶体管的开关电路。下面使用高耐压的开关晶体管ZSC2534(VCEO＝500V ICQmax=2A)，负载电阻RL＝51Ω时的1A电流进行开关动作。基极电阻RB为100Ω，为使晶体管充分饱和动作，基极电流IB应为50mA(用电流探头测定，变化脉冲电压合成)。

　　图1 晶体管的开关特性测定电路

　　图2 的上侧ch1是输出电压波形。当晶体管ON时，集电极电压VCE下降。下侧ch2是观测的基极电流波形(50mA)，但基极电流IB＝0A时也不能立刻OFF，约1.2μs后OFF。这样的状态作为高速开关电路是存在问题的。

　　图2 ZSC2534的开关特性

　　要使晶体管的开关更高速的动作，一般在基极电阻RB上并联连接电容Cs(称为加速电容器)。

　　图3是Cs＝0.01μF(实验的值)时的开关波形。通过加上toff由1.2μs缩短为0.4μS，从0.6μS改善为0.1μs，从0.64μs改善为0.2μs。观察此时的基极电流IB的波形可知ON/OFF时会发生过驱动，这是因为为改善细，将晶体管内的储蓄电荷以逆电流形式引人的原因所致。还有，如果Cs的值过大，相反的toff会变长。

　　图3 SC2534的开关特性