Vishay 推出采用 Int-A-Pak 封装且具有 75A~200A 高额定电流的新系列半桥 600V 及 1200V IGBT 模块

时间:2008-08-29

  日前推出的这八款新器件采用可满足各种应用需求的三种不同 IGBT 技术。GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF采用标准穿通 (PT) IGBT 技术,而GA200TS60UPbF、GA75TS120UPbF及 GA100TS120UPbF器件采用可实现更紧参数分布及高效率的第 4 代技术。GB100TS60NPbF、GB150TS60NPbF及GB200TS60NPbF模块采用第 5 代非穿通 (NPT) 技术,可实现 10μs 短路功能的额外优势。

  其中GA100TS60SFPbF和GA200HS60S1PbF是专为高达 1kHz 硬开关工作频率而进行优化设计的标准速度器件;其他六个 IGBT 是与用于桥配置的 HEXFRED? 超软恢复反并联二极管共同封装的超快速模块,这些超快速器件可在硬开关中实现 8kHz~60kHz 的高工作频率,在共振模式下可实现 200kHz 以上的工作频率。

  Vishay 此次推出的全新 IGBT 系列具有 75A~200A 的高额定电流及低功耗,该系列器件专为高频工业焊接、UPS、SMPS、太阳能转换器及电动机驱动应用中的隔离与非隔离转换器、开关、逆变器及斩波器而进行了优化。特别在输出逆变器 TIG 焊机应用中,这些 IGBT在额定电流时提供了当前市场上“S”系列模块中的 Vce(on) 。

  上述全新 IGBT 系列器件均采用无铅 (Pb)化工艺,可轻松地直接安装到散热片上。这些器件具有低 EMI,可减少缓冲,并可提供超低的结到外壳热阻。

  器件规格表:

P/N
速度
技术
电压
IC
VCE(ON) 典型.
GA100TS60SFPbF
标准
第 4 代 PT
600 V
100 A
1.39 V
GA200HS60S1PbF
标准
第 4 代 PT
600 V
200 A
1.13 V
GA200TS60UPbF
超快速
第 4 代 PT
600 V
200 A
1.74 V
GA75TS120UPbF
超快速
第 4 代 PT
1200 V
75 A
2.5 V
GA100TS120UPbF
超快速
第 4 代 PT
1200 V
100 A
2.25 V
GB100TS60NPbF
超快速
第 5 代 NPT
600 V
100 A
2.6 V
GB150TS60NPbF
超快速
第 5 代 NPT
600 V
150 A
2.64 V
GB200TS60NPbF
超快速
第 5 代 NPT
600 V
200 A
2.6 V

  目前,这些新型 IGBT 模块的样品及量产批量已可提供,大宗订单的供货周期为 8 周。

  VISHAY简介

  Vishay Intertechnology, Inc. 是在 NYSE (VSH) 上市的“财富 1,000 强企业”,是世界上分立半导体(二极管、整流器、晶体管、光电子产品及某些精选 IC)和无源电子元件(电阻、电容器、电感器、传感器及转换器)的制造商之一。这些元件几乎用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空及医疗市场的各种类型的电子设备中。其产品创新、成功的收购战略以及提供“一站式”服务的能力已使 Vishay 成为了业界者。

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