美国国家半导体新推出一系列微功率高放大器

　　美国国家半导体公司推出一系列微功率高放大器，其偏移电压漂移温度系数(TCVos)值保证不超过+/-0.4uV/C。这几款运算放大器单位通道功耗只有16uW之外，偏移电压漂移温度系数也低于友商的同类产品。此外，这几款芯片具有极低的偏移电压、静态电流和偏置电流，有助于提高系统的准确度，延长电池寿命，以及确保系统操作的长期稳定性，尤其适用于便携式系统以及以电池供电式传感器接口产品。

　　单通道的LMP2231、双通道的LMP2232以及四通道的LMP2234微功率运算放大器都有以下的优点：支持CMOS输入，可在1.6V至5.5V的电压范围内操作，单位通道的供电电流只有10uA，偏移电压仅为150uV，而且适用于摄氏-40度至125 度这样广阔的温度范围。这三款运算放大器的功耗极低，单位通道功耗甚至不超过16uW，可供使用的带宽达130kHz，是美国国家半导体高能源效率PowerWise系列产品的佼佼者。

　　理想的测量仪器|仪表对信号准确性的要求极高，换言之，传感器的信号在放大的过程中不能出现任何错误。美国国家半导体特别针对此类应用提供一个理想的模拟信号路径解决方案即将LMP223x放大器芯片与12位ADC121S021单通道模拟/数字转换器搭配使用。

　　这几款全新的LMP® 高运算放大器都采用美国国家半导体专有的VIP50 BiCMOS 工艺技术制造。由于美国国家半导体拥有先进的VIP50工艺技术，因此可以设计出性能更好、能效更高的低功率高运算放大器。

　　LMP2231/32/34高运算放大器的特色

　　LMP2231单通道微功率高放大器可在1.6V至5.5V的供电电压范围内操作，静态功耗只有16uW。这款芯片的偏移电压不超过150uV，的偏移电压漂移温度系数也只有0.4uV/C，偏置电流只有+/-20fA。由于供电电压的轨到轨输出摆幅高达 15mV，因此可以扩大系统的动态范围。此外，LMP2231芯片的共模输入电压范围低至-200mV，因此也适用于设有接地感测功能的单供电系统。这款芯片有5引脚的SOT23以及8引脚的SOIC两种封装可供选择。

　　LMP2232双通道微功率高放大器保证可在1.6V至5.5V的供电电压范围内操作，单位通道的静态功耗只有13uW。这款芯片的偏移电压不超过150uV，的偏移电压漂移温度系数也只有0.5uV/C，而偏置电流则低至只有+/-20fA。LMP2232芯片有8引脚的SOIC 以及8引脚的MSOP两种封装可供选择。

　　LMP2234四通道微功率高放大器保证可在1.6V至5.5V的供电电压范围内操作，每通道的静态功耗只有12uW。这款芯片的偏移电压不超过150uV，的偏移电压漂移温度系数也只有0.75uV/C，而偏置电流则低至只有+/-20fA。LMP2234芯片有14引脚的 SOIC以及14引脚的TSSOP两种封装可供选择。

　　美国国家半导体的放大器系列

　　美国国家半导体一直专注于研发高性能的放大器及比较器，目前已成功推出一系列型号齐全的运算放大器，其中包含基本的芯片以及专用标准产品(ASSP)，以满足市场上对高、高速、低电压及低功率放大器的需求。该公司多年来一直致力于开发创新的放大器，这方面的技术更一直同业，加上该公司也拥有先进的 VIP10 双极及 VIP50 BiCMOS 工艺技术，这几方面的优势令美国国家半导体将可继续在放大器市场上保持其领导地位。此外，美国国家半导体率先推出 Silicon Dust™ 及 micro SMD 这两种崭新的封装技术，为封装技术的市场。

　　价格及供货情况

　　这三款产品都以1,000颗为采购单位，单颗价由1.10美元至2.35美元，全部已有批量供货。