ST发布单向Transil瞬变电压抑制二极管SMM4F系列

　　意法半导体（ST）推出SMM4F系列单向Transil瞬变电压抑制二极管，新系列产品在三个主要方面提高性能：在小空间内提供先进的保护功能、降低泄漏电流实现低损耗、结温化以提升可靠性。

　　SMM4F系列产品电涌防护能力达到400W 10/1000微秒，封装尺寸紧凑，占板面积仅为3.8 x 1.9mm。SMM4F二极管的尺寸小于现有的SMA封装的400W产品，防护性能更比现有的SMF封装200W电涌保护器件提高一倍，虽然后者的规格比SMM4F二极管小10%。SMM4F系列的低功耗性能杰出，泄漏电流仅为0.2微安的，使新产品成为电池供电设备或其它低耗电量应用的理想选择。由于在85℃时泄漏电流为 1微安，SMM4F系列产品同样适用于电信设备的电涌防护应用。

　　SMM4F系列产品共有14款，关断电压在5V到33V之间。需要浪涌抑制二极管的大多数应用，如开关电源、消费电子产品、计算机和电信设备，都能在其中找到适合的产品。每款产品的额定结温均为175℃，与额定结温通常只有150℃的传统产品相比，SMM4F系列产品的安全系数更高。

　　ST定义SMM4F系列产品其它参数特性，为设计工程师在各种工作条件下预测应用特性提供可靠数据。除10/1000微秒参数外，ST还提供8/20微秒的钳位电压和峰值功率电流，使设计工程师能够确认防护应用达到业界广泛接受的IEC61000-4-5标准。ST为设计工程师提供有关动态电阻、击穿电压随温度变化、泄漏电流对结温特性的数据。ST提供这种信息使设计工程师能够按照实际涌流和结温的比值计算钳位电压。

　　SMM4F系列产品采用RoHS标准无汞JEDEC注册STmite封装，样片已批量上市。