场效应管(mosfet)参数符号意义

时间:2008-05-28
  Cds----源电容
  Cdu---
-衬底电容
  Cgd---
-源电容
  Cgs---
-源电容
  Ciss---
栅短路共源输入电容
  Coss---
栅短路共源输出电容
  Crss---
栅短路共源反向传输电容
  D---
占空比(占空系数,外电路参数)
  di/dt---
电流上升率(外电路参数)
  dv/dt---
电压上升率(外电路参数)
  ID---
漏极电流(直流)
  IDM---
漏极脉冲电流
  ID(on)---
通态漏极电流
  IDQ---
静态漏极电流(射频功率管
  IDS---
漏源电流
  IDSM---
漏源电流
  IDSS---
-源短路时,漏极电流
  IDS(sat)---
沟道饱和电流(漏源饱和电流)
  IG---
栅极电流(直流)
  IGF---
正向栅电流
  IGR---
反向栅电流
  IGDO---
源极开路时,截止栅电流
  IGSO---
漏极开路时,截止栅电流
  IGM---
栅极脉冲电流
  IGP---
栅极峰值电流
  IF---
二极管正向电流
  IGSS---
漏极短路时截止栅电流
  IDSS1---
对管管漏源饱和电流
  IDSS2---
对管第二管漏源饱和电流
  Iu---
衬底电流
  Ipr---
电流脉冲峰值(外电路参数)
  gfs---
正向跨导
  Gp---
功率增益
  Gps---
共源极中和高频功率增益
  GpG---
共栅极中和高频功率增益
  GPD---
共漏极中和高频功率增益
  ggd---
栅漏电导
  gds---
漏源电导
  K---
失调电压温度系数
  Ku---
传输系数
  L---
负载电感(外电路参数) 
  LD---
漏极电感
  Ls---
源极电感
  rDS---
漏源电阻
  rDS(on)---
漏源通态电阻
  rDS(of)---
漏源断态电阻
  rGD---
栅漏电阻
  rGS---
栅源电阻
  Rg---
栅极外接电阻(外电路参数)
  RL---
负载电阻(外电路参数)
  R(th)jc---
结壳热阻
  R(th)ja---
结环热阻
  PD---
漏极耗散功率
  PDM---
漏极允许耗散功率
  PIN--
输入功率
  POUT---
输出功率
  PPK---
脉冲功率峰值(外电路参数)
  to(on)---
开通延迟时间
  td(off)---
关断延迟时间
  ti---
上升时间
  ton---
开通时间
  toff---
关断时间
  tf---
下降时间
  trr---
反向恢复时间
  Tj---
结温
  Tjm---
允许结温
  Ta---
环境温度
  Tc---
管壳温度
  Tstg---
贮成温度
  VDS---
漏源电压(直流)
  VGS---
栅源电压(直流)
  VGSF--
正向栅源电压(直流)
  VGSR---
反向栅源电压(直流)
  VDD---
漏极(直流)电源电压(外电路参数)
  VGG---
栅极(直流)电源电压(外电路参数)
  Vss---
源极(直流)电源电压(外电路参数)
  VGS(th)---
开启电压或阀电压
  V
BRDSS---漏源击穿电压
  V
BRGSS---漏源短路时栅源击穿电压
  VDS(on)---
漏源通态电压
  VDS(sat)---
漏源饱和电压
  VGD---
栅漏电压(直流)
  Vsu---
源衬底电压(直流)
  VDu---
漏衬底电压(直流)
  VGu---
栅衬底电压(直流)
  Zo---
驱动源内阻
  η---漏极效率(射频功率管)
  Vn---
噪声电压
  aID---
漏极电流温度系数
  ards---
漏源电阻温度系数


  
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