VCSEL的性能很大程度上是由其外延结构和制作工艺决定的。例如，在VCSEL的发展过程中，研究人员一直在探索降低VCSEL阈值电流的方法，因此设计一个合理的结构及制作工艺来提高对载流子的横向限制就有着非常重要的意义。
VCSEL的基本结构，在此基础上人们又研制出一些具体的结构，可以对光子或电子进行横向限制，如图所示，分别为刻蚀空气柱型、离子注入型、再生长型和选择氧化型。这几种结构需要不同的制作技术并且具有不同的光电及热学特性。
图 几种能对光子或电子进行横向限制的VCSEL结构
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