FPGA按技术分类

　　实际上，FPL在所有存储技术（SRAM、EPROM、E2PROM和抑熔断技术【10】）中都是可行的。根据具体的技术可以将元器件定义为是可重复编程的还是性编程的。大多数SRAM元器件都可以通过一位流来编程，从而降低了对布线的要求，但是也相应地增加了编程的时间（通常情况下，这—范围是毫秒（ms）级的）。对于FPGA来说，具有优势地位的SRAM元器件是基于静态CMOS存储技术的，并且是在系统可编程和可重复编程的。然而它们还需要一个外部“引导”器件作为组态。由于电可编程只读存储器（electrically programmable read－only memory，EPROM）需要用紫外线照射来擦除，所以经常用在—次性CM0S可编程模式中。CMOS电可擦可编程只读存储器（electrically erasable programmable read－only memory，E2PROM）可以用作可重复编程和在系统编程器件。EPROM和E2PROM都具有设置时问短的优势。因为编程信息不是到元器件上的，所以能够得到更好的保护，禁止未授权的使用。近来出现了一项基于EPROM的技术，称为闪存（flash memory）的革新技术。这类元器件通常被视作是“页方式”的、具有更小的单元，在系统可重复的编程系统，等同于E2PROM元器件。，在表1中简要地给出了不同元器件技术的主要优点和缺点。

　　表1 FPL技 术

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