NAND闪速存储器的数据读操作

时间:2008-11-19

  TC58V64的读操作如图1所示。随着指令,利用节指定读出开始地址,开始进行数据读操作,地址及指令在WE信号的上升沿被锁存。

  图1 TC58V64的读操作

  读操作时地址的指定方法如表1所示。给予的数据称为列地址,后面的两个周期中所给予的数据称为页地址。TC58V64的存储器具有1024个块,由于各个块又分割成16个页,所以A22~A13为块号(块地址),A12~A19为块内的页号(块内的NAND地址)。

  表1 指定地址的方法

  读指令如果是00h,则A8=“0”,如果读指令为01h,则A8=“1”,所以没有指定
  A8的位。
  A22~Al13:块地址   
  A12~A9:块内NAND地址}页地址
  A7~A0:列地址

  这里有意思的是A8没有指定,而1页的大小为528字节,大于512。这样A9就成为了页地址。
  
  在此,将一页(528字节)分成256+256+16这样的结构(假设称为段)可能更容易理解。根据从一页的哪个段开始读,指令将被分离,读指令具有3个种类(00h,01h,50h)正是因为这个原因。而从各个段中的什么部位开始读是由列地址过渡的。当然,在的16字节的地方,列地址只能取得0~15的值。
 
  在指令代码为00h,01h的情况下,将从读取开始地址到一页的地址传输数据,一旦到达终的地址,则输出下一页的起始数据。仅当指令代码为50h[读指令(3)]的时候,如果到达页的部分,则由下一页的第512个字节(第3部分)开始输出,而不返回到页的起始。
 
  这些操作模式如图2、图3、图4所示。

  图2 顺序读(1)

  图3 顺序读(2)

  图4 顺序读(3)

  如图5所示,当进行读操作时,在指定地址后到读取初数据之间以及到达页的结尾部位后。需要一定的时间返回到下一页的起始部分(顺序读(3)的情况下为第3部分的起始)。这期间Busy信号有效,需要让来自主机的访问等待。这段时间可以认为是内部一页的数据(528字节)传输到页缓冲器上的时间。

  图5 读操作中的Busy状态

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