TC58V64的内部结构如图所示。闪速存储器的容量增大，则块数也将增加，但内部的基本结构没有改变。
图 TC58V64的内部结构
NAND闪速存储器的特点
①按顺序存取数据；
②存储器内部以块为单元进行分割，而各块又以页为单位进行分割；
③以块为单位进行擦除操作；
④以页为单位进行编程（写人）；
⑤页的大小存在尾数（TC28V64是roodZJ字节）；
⑥也存在有坏块（bad block）的产品。
以NAND闪速存储器为主的用途是类似硅盘那样的文件保存器件。所谓的528写入页大小，就是在512字节（相当于一般的硬盘扇区大小）上增加了16字节的冗余数据字节，通过在这些冗余字节上添加纠错码，在写人与擦除的重复操作中，即使闪速存储器单元发生异常，数据也可以复原。
另外，作为擦除的单位，即一块16页（转变为数据大小就是512字节×16＝8K）与主机端的文件管理单位一致。
当读者看到特点⑥，即和普通存储器器件特点相同的一条，应该稍微有些吃惊吧。在产品供货期间，所有数据未成为FFH的块都作为坏块不进行擦除操作，必须做到在主机的文件管理软件中不利用这些坏块。TC58V62多容许有10个坏块，由于TC58V64具有1024个块，所以它有时只能利用1014个块。
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