UV-EPROM的读操作

　　接下来我们看一下UV-EPROM的读操作。无论怎么说，这只是作为ROM（Read Only Memory，只读存储器）的操作，因而非常简单。
 
　　将地址总线（A₀～A₁₆）设置为希望访问的地址，当CE＝OE＝低电平时，DQ中出现数据。
 
　　现在，让我们来讨论AC特性。
 
　　AC特性对时序进行了规定。图显示了Am27C0l0读操作时的波形。具体的时序如表所示。在“速度等级”一栏中虽然有许多内容，但这表示即使是相同的器件，也将根据t_ACC时间进行区分。器件中标示速度等级的“—45”及“－90”等的数值是与器件型号及批号等一同被打印上去的。

　　图 Am27C010读操作的波形

　　表 Am27C010的AC时序

　　这并不是根据速度等级的不同而进行不同的设计，即使是以完全相同的设计进行制造，也将根据试验结果和出货计划进行等级分类。例如，“－ 90”器件的t_ACC是90ns，它不能归类到“－70”的器件中。也就是说，t_ACC的实际测量值如果不是大于70ns、低于90ns之间的值，那么根据情况，可能被归类到“－45”及“—70”等的等级中。
 
　　下面我们针对图示的时序做少许补充。
 
　　1.  t_ACC：地址访问时间（Address Access Time）
 
　　在维持CE＝DE＝“L”（低电平）的状态下，如果改变地址总线的状态，则一定时间后该地址的数据将显现于DQ端。从地址确定后到数据被实际确定之间的时间就是t_ACC。在t_ACC时间形成之前，不能确保DQ端出现数据。

　　2.  t_CE：CE访问时间
 
　　在地址确定、OE仍然维持“L”低电平的状态下，如果CE有效（为“L”），则一定时间之后将出现指定地址的数据。从CE有效到确保数据已确定这一段时间是t_CE。Am27C010的t_ACC和t_CE的时间是相同的。
 
　　3.  tOE
 
　　在地址确定、CE维持“L”低电平的状态下，从OE有效到数据被确定的时间就是t_OE。观察存储器内部，一旦地址确定、CE有效,则向存储器单元的访问就全部完成，数据输出到EPROM的输出缓冲器前。
 
　　在此，只要OE有效，输出缓冲器就输出数据。为此，比较t_ACC和t_CE，t_OE会更短。
 
　　t_ACC、t_CE和t_OE无论哪个都不能单独确定大小，必须在整体中去适应速度慢的那个时间值。例如，在利用了Am27C0l0 Qn的系统中，地址确定后，在5ns后CE有效，再5ns后OE有效。从表中可看出，t_ACC＝t_CE＝90ns，t_OE＝40ns。
 
　　如果以地址被确定那一时刻作为起点，则：
 
　　根据t_ACC的访问时间：90ns
 
　　根据t_CE的访问时间：5ns＋90ns＝95ns
 
　　根据t_OE的访问时间：5ns＋5ns＋40ns＝50ns
 
　　因而，访问时间的大小取决于t_ACC、t_CE和t_OE中长的t_CE，也就是说地址被指定后数据将在95ns后被确定。

　　4.  tDF
 
　　CE及OE如果无效，则DQ引脚处于高阻抗状态。但这也不能说是瞬间，还是需要一些时间的，该时间就是t_DF。在t_DF以内的时间里，如果其他的器件驱动了数据总线，则将会与EPROM的输出发生冲突。因此，在进行硬件设计时必须注意这一点。
 
　　5.  _tOH
 
　　提供给EPROM的地址发生变化，或者即使CE和OE无效，瞬间数据也不会消失，而是在非常短的时间内，维持输出的原始状态。规定的这个时间就是t_OH。
 
　　Am27C010的该时间全部是零，所以不能确保地址发生变化或者OE及CE无效后的数据。

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