主电路与控制电路产生的du/dt、di/dt的比较

时间:2008-10-09

  控制电路的电压较低,一般只有几伏,电流也只是毫安级,较大容量开关电源主电路的开关器件动作时 ,产生的du/dt与di/dt的远大于控制电路产生的du/dt和di/dt。如一台6kW的充电电源,其 主电路和控制电路如图1所示。主电路是一个斩波电路,其直流输入电压由三相二极管整流桥供给。控制 电路则包括控制、驱动和保护等电路。在调试过程中,曾发生过因充电电源本身的干扰而导致保护电路误动作的情况。图2为主要电压波形,说明控制电路所受到的电磁干扰。其中,下图为主电路IGBT开关管V的电压,uce(Ch1)、开关管V的触发信号(Ch3)及控制电路中相应的干扰电压波形(Ch4),上图是矩形虚线框中的波形放大。可知,主电路中IGBT开关电压仍uce跳变时(IGBTェ作在DC90°)及触发脉冲前后沿的对应时刻,都会在控制电路中的某一点产生电磁干扰脉冲,前者对应的干扰脉冲的峰值达到0.5V,后者仅为50mV左右。主电路产生的干扰直接影响控制电路,导致保护电路误动作。触发脉冲(Ch3)产生干扰的幅度只有主电路产生电磁干扰的1/10左右,在分析开关电源系统的电磁干扰问题时,主要应考虑的是主电路开关元件引起的干扰。


  图1   6kW充电电源电路示意图

  图2  控制电路主要电压波形

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