单向可控硅参数_单向可控硅管的主要参数

时间:2008-10-20

  一、单向可控硅参数_额定通态平均电流IT(AV)

  在环境温度为+40℃及规定的散热条件、纯电阻负载、元件导通角大于己于170°电角度时,可控硅所允许的单相工频正弦半波电流在一个周期内的平均值。

  二、单向可控硅管的参数_通态平均电压UT(AV)

  在规定环境、温度散热条件下,元件通以额定通态平均电流,结温稳定时,阳极和阴极间电压平均值。

  三、单向可控硅参数_控制极触发电压UGT

  在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极直流电压。

  四、单向可控硅管的参数_控制极触发电流IGT

  在室温下,阳极和阴极间加6V电压时,使可控硅从截止变为完全导通所需的控制极直流电流。

  五、单向可控硅参数_断态重复峰值电压UPFV

  在控制极断开和正向阻断的条件下,阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。其数值规定为断态下重复峰值电压UPSM的80%。

  六、单向可控硅管的参数_反向重复峰值电压UPRV

  在控制极断开的条件下,阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。其数值规定为反向不重复峰值电压URSM的80%。一般把UPFV和UPRV中较小的数值作为元件的额定电压。

  七、单向可控硅参数_维持电压IH

  在室温和控制极断路时,可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的电流,一般为几十到一百多mA。如果通过的正向电流小于此值,可控硅就不能继续保持导通而自行截止。

  欢迎转载,信息来自维库电子市场网(www.dzsc.com



  
上一篇:EDA中的CONT60计时电路的VHDL源程序
下一篇:EDA中的CONT3O计时电路的VHDL源程序

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料