去耦电容的抑制和破坏作用

　　去耦电容安装在印制板上后，就像一个储存丰富电荷的水库，以备各种门电路的调用。

　　在未安装去耦电容时，△I噪声电流由Vdd提供，从而造成电源及接地系统中存在电流的波动。安装去耦电容之后，Vdd对去耦电容充电。当门电路工作中产生电流跳变时，可由去耦电容提供该电流，避免了门电路从电源系统中提取，从而把△I噪声电流减小到程度。去耦电容就像一个储备库，一旦电源系统出现电流短缺，通过充电和放电的形式立即补给。

　　前面提到，器件以高速、高频率工作时，电容的引线会带来电感，一般有几个nH，它们与去耦电容在较高频率发生谐振，极大地增大了电路中电源线、地线系统的阻抗，破坏了去耦电容对△I噪声电流的抑制补偿作用，这就是去耦电容的破坏作用。所以在工作频率高于100 MHz后，应采用抑制△I噪声的PCB设计方法，例如减小相对介电常数和减小电路板尺寸。

　　研究表明，当系统速率更高时，去耦电容的作用基本消失，只有通过优化PCB层间距设计与布局布线，降低反射，以及采用良好匹配等方案，来解决电源完整性问题。