高效率电源的设计

　　使用同步整流能极大地提升效率。同步整流一般采用一个MOSFET开关而不是二极管(见图3中的SR1和 SR2)。在关断时，MOSFET可以阻止负向电压，仅传导正向电流，它不需要出现正向压降即可实现导通。相反，开关电流造成的损耗由MOSFET的R_DS(ON)来决定。R_DS(ON)的典型值约为5mΩ。不过，在一个100A的电源中，这会带来5mΩ × 100A＝ 500mV的电压降，几乎与一个二极管相当。因此，大电流的电源需要将多个MOSFET并联起来，以减少等效的R_DS(ON)，从而进一步降低导通损耗。这是具有低输出电压、大输出电流的电源所采用的标准设计方法，也应用于高效率电源设计中。对同步整流开关的时序关系的优化也很关键，否则，就体现不出来同步整流的优点。

　　开关损耗

　　在减小开关电源的尺寸和重量方面所遇到的主要障碍是开关频率。开关频率与效率直接相关。技术的发展趋势是提高开关频率，但是，随着开关频率的增加，开关的损耗也会上升。开关的损耗是由于开关的非理想因素所造成的(杂散电容和非零的开关时间)。因此，必须实现某种折中平衡。正是基于这些原因，大多数可买到的隔离型开关电源的开关频率在50kHz～400kHz之间。
　　在功率晶体管中出现的开关损耗包括导通损耗和关断损耗两部分。导通损耗由流过晶体管的寄生电容和电源变压器的初级绕组的电流所造成。关断损耗由晶体管的关断动态过程所决定。由于开关两端的电压可以远大于100V，这会造成相当大的损耗。既然开关损耗的高低直接取决于开关时的电流和电压差，很显然，在开关时保证电流或者电压为零，就可以消除这些损耗。这是MOSFET成为广泛使用的功率晶体管的原因之一。它们的电流下降时间很短，因此MOSFET两端的电压显著增加之前，电流就几乎下降到零。
　　零电压开关 (ZVS)可用于改善效率。ZVS控制开关的时序关系，使之在电感电流接近零时关断。当MOSFET开关的时序被控制为与输入波形的过零点同步时，开关损耗将得以降低。ZVS的一个实现方式(见图3)，即添加电感L2。这也是ZVS成为隔离型电源中的常用方法的一个原因。它可以实现在变压器尺寸和开关损耗方面实现良好的平衡。数字控制器提供了能够充分利用ZVS的能力，因为它们比模拟控制器对波动的补偿要容易得多。

磁损

　　变压器磁芯的损耗由两个因素造成：磁滞和涡流损耗。磁滞损耗是磁化的交流电流的上升、下降以及方向的改变使得磁场方向不断颠倒所致。涡流损耗是感应出的电流在磁芯中循环流动的结果。负载损耗则随着变压器的负载变化而变化。它们包括了变压器的初级和次级线圈导体的热损耗和涡流损耗。绕组材料中的热损耗(也称为I²R损耗)是负载损耗中的的一部分，由变压器中导体的寄生电阻产生。通过采用每单位截面积的电阻很小的材料，可以减小这一电阻，但不会显著增加变压器的成本。