这套系统高性能的关键之处在于其拥有知识产权的高温阴极。高温工艺可以提供平坦垂直的轮廓,不会产生传统温度工艺下带来困扰的高K介质材料残留和硅材料凹陷。此外,高温防止了被刻蚀的材料再次沉积到硅片上,也无需采用复杂的湿/干组合工艺去除残余物。先进的反应腔材料能提供长期的工艺稳定性和所有可用的先进栅极刻蚀系统中的耗材成本。
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