本例介绍一种输出波近似正弦波的逆变电源,其输出功率为40W;可用于感性负载。
电路工作原理
该逆变电源电路由高频振荡器、分频器、缓冲器和功率输出电路组成,如图5-149所
高频振荡器电路由非门集成电路IC1内部的非门电路D1~D4和电阻器R0、R1、电容器C1等组成。
分频器由移位寄存器集成电路IC2、IC3、电阻器R3~R21、电容器C2、C3、稳压二极管VS和IC1内部的非门D5等组成。
缓冲器由电阻器R22~R55和晶体管V1、V2组成。
功率输出电路由大功率场效应晶体管VF1、VF2和变压器T组成。
接通开关S后,+12V电源分为3路:一路直接为V1、V2供电;一路经T的绕组为VF1、VF2供电;另一路经R26限流、IC稳压、R24降压及VS二次稳压后,产生+6V电压,供给IC1~IC3。
高频振荡器振荡工作后产生的800Hz时序脉冲信号经IC2和1C3内部分频处理后,在A、B两点产生两个频率 (5OHz)相同、相位相反的准正弦波 (阶梯波)信号。该信号经V1和V2缓冲整形后,再经VF1、Vf2功率放大及变压器T升压后,在T的二次绕组两端产生交流220V电压。
元器件选择
RO~R1O、R12~R21均选用1/4W碳膜电阻器或金属膜电阻器;R1和R22~R25均选用1W金属膜电阻器;R26选用1/2W金属膜电阻器。
C1选用高频瓷介电容器;C2~C4选用耐压值为16V的铝电解电容器。
VS选用1W、6V硅稳压二极管。
V1和V2选用C8050或S8050型硅NPN晶体管。
VF1和VF2均选用IRF64O型大功率场效应晶体管。 IC1选用CD4069型六非门集成电路;IC2和1C3均选用CD4015型双四位静态移位寄存器集成电路。
T选用45W、双12V的电源变压器。
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