国际整流器公司（IR）近推出的IRF6607是30V的MOSFET，在降压DC/DC
转换器中用作同步整流
开关，开关频率高达2MHz。
微处理器的工作电压降低到1V、速度越来高，它消耗的功率很大，遇到的阻碍是把热量散发出去。为此，让微处理器工作在电源通、断状态，对瞬变响应速度的要求一直在提高，新的微处理器要求瞬态响应速度高达400A/μs。用
电容器存储电能的方法，已经难以满足电流瞬变的需要同时又保持电压稳定，电路板上的走线电阻也成为问题。面对这些挑战，出路是提高DC/DC的开关频率和反馈回路的带宽，降压转换器必须工作在1至2MHz的频率范围。
IRF6607很好地满足了这样的要求，它的导通电阻仅2.7mΩ，栅极电荷QGD为16nC，QG为50nC。它采用directFET封装，芯片装在铜壳中，铜壳直接装在印制电路板上。栅极和源极的面积很大，是直接焊到板上，漏极则压焊在铜壳顶部，因此封装本身的电阻很小，
电感也很小。DirectFET的封装电阻只0.1mΩ（不包括芯片的电阻）、寄生电感为0.6nH。因此，d
irctFET可在1MHz至2MHz的频率范围内保持低损耗。2002年早些时侯推出的IRF6604是用作控制开关的directFET封装30V MOSFET，导通电阻为8mΩ、QGD仅3.7nC。IR公司电脑产品销售经理Carl Blake说，在一个2相降压转换器实例中，每相用两只dirctFET （用IRF6607作同步开关，用IRF6604 作控制开关），气流速度为425LFM，输入为12V，输出为1.7V，开关频率为2MHz，每相输出电流为30A，效率为77%，当每相输出电流为20A时的效率为81%。与使用SO-8封装的MOSFET相比，由于directFET的寄生电感很小，脉冲波形中的振荡次数少得多，衰减也快多，有利于降低EMI。
Carl Blake说，DirectFET是专为大功率器件研制的封装，它的导热性能很好，热量既通过电路板也从封装顶部散发出去，在它的顶部还可以安装散热器，而现有的其他封装是把热量传到印制电路板然后散发出去。DirectFET的半导体结至外壳顶部的热阻为3℃/W，而SO-8封装是18℃/W。directFET封装的尺寸与现有SO-8相当，但高度仅0.7mm，然而电流高达30A，是SO-8封装的两倍多。
