半导体材料的电子和空穴质量

时间:2007-04-29
Material Electron Mass Hole Mass
ALAs 0.1
ALSb 0.12 mdos=0.98
GaN 0.19 mdos=0.60
GaAs 0.067 m1h=0.082,mhh=0.45
GaP 0.82 mdos=0.60
GaSb 0.042 mdos=0.40
Ge ml=1.64,mt=0.082 m1h=0.044,mhh=0.28
InP 0.073 mdos=0.64
InAs 0.027 mdos=0.4
InSb 0.13 mdos=0.4
Si ml=0.98,mt=0.19 m1h=0.16,mhh=0.49


  
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