高性能新结构InGaP/GaAs异质结双极型晶体管

时间：2007-04-29

报道了一种采用U形发射极新结构的高性能InGaP/GaAs HBT.采用自对准发射极、LEU等先进工艺技术实现了特征频率达到108GHz,振荡频率达到140GHz的频率特性.这种新结构的HBT的击穿电压达到25V,有利于在大功率领域应用.而残余电压只有105mV,拐点电压只有0.50V,使其更适用于低功耗应用.同时,还对比了由于不同结构产生的器件性能的差异.

关键词：	异质结双极型晶体管 U形发射极自对准发射极热处理能力

参考文献：

[1]Liu W.The handbook of Ⅲ-Ⅴ heterojunction bipolar transistor.John Willy & Sons,1998

[2]Qian Yongxue,Liu Xunchun,Wang Runmei,et al.Self-aligned GaInP/GaAs HBT device.Chinese Journal of Semiconductors,2002,23(5):513(in Chinese)[钱永学,刘训春,王润梅,等.自对准GaInP/GaAs HBT器件.半导体学报,2002,23(5):513]

[3]Shi Ruiying.Research on the HBT with novel structures and its applications in optic driver IC.Doctorial Dissertation of Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences,2003[石瑞英.新结构HBT器件研究及在驱动电路中的应用.中国科学院微电子中心

[4]Lee Y S,Park C S.Structure optimization of InGaP/GaAs HBT for power amplifier applications.Proceedings of Radio and Wireless Conference,2001:57

实在抱歉,只能弄到栽要.

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