国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)为中等功率的D类音频放大器推出IRF6665 DirectFET™ MOSFET。此款设计旨在改进音频器件的效率、总谐波失真(THD)、功率密度等性能。D类放大器应用广泛,从电池驱动的便携式产品到高端的级放大器,从乐器到汽车和家庭多媒体系统均能适用。
在针对应用专门优化的硅片上,IR的DirectFET™封装技术通过降低引线电感提高了D类音频放大器的性能,进而改善开关性能、降低电磁噪声。由于效率提升,无需散热器即可在8欧阻抗上运行100W功率。散热器的免除减少了电路面积和体积,设计布局更灵活,放大器成本也更低。
决定D类音频性能的重要MOSFET参数包括器件导通电阻RDS(on)和栅电荷Qg,这两者决定放大器效率。
IR中国及香港销售总监严国富表示:“IR在同步整流和功率MOSFET开关电路上的技术适用于D类音频拓扑。综合了IR独特的DirectFET封装和特殊应用器件参数后, D类音频性能封套将具备更高效率,更完善的EMI和更佳功率密度。”
产品 型号 | 封装 | BVDSS(V) | RDS(on) typ @10V(mOhm) | ID @ Tc=25ºC(A) | QG typ.(nC) | QSW typ.(nC) |
IRF6665 | DirectFET™ | 100 | 51 | 19 | 8 | 3.5 |
IRF6665 D类音频DirectFET™ MOSFET 现已供货。
免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。