标准I-V/C-V测试面临的挑战

产品研发阶段的设计工程师采用的仿真模型，包括从s参数数据提取的RF参数和I-V/C-V数据。先进的设计工具要求的是统计模型，不是单个的一套参数。这使得良率和功能特性的化成为可能。如果I-V和C-V参数基于统计结果，而RF不是的话，那么这个模型就是非物理的和不可靠的。

在有些情况下，比如电感、I-V和C-V信息的价值都非常有限。但是，Q在使用的频率之下，作为电感表征和控制的参数，则具有很高的价值。I-V和C-V测试中面临的挑战是要理解，什么时候它是产品特性的主要表征，什么时候不是。许多模拟和无线器件特性的只要表征参数是Ft和Fmax。理想的情况下，在第3谐波以外的使用情况下，它们是需要测量并提取出来的RF参数。对于数字和存储器产品，只要器件的模型保持简化，那么I-V和C-V对于有源和无源器件来说都是很有价值的测量项目。前面提到的，栅介质的测量具有复杂的C-V模型。