光刻工艺

光刻工艺过程与一般器件相同，包括有：涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、腐蚀、去胶等。其中前烘的温度和时间需要严格控制，温度过高，时间太长，易造成显影困难；温度低，时间短，易造成浮胶，针孔或图形变形。坚膜的温度和时间控制也同样重要。鉴于CCD结构中，多晶硅条细且长，又密集，显影通常采用动态显影法，该法较易去掉胶渣，免得胶渣残留在多晶硅条中，引起连条。腐蚀在光刻中是十分重要的一环，光刻的提高在某种程度来说只有在腐蚀时才付诸实现的，而腐蚀质量的优劣直接影响着图形的分辨率和度。