5月23日，Intel宣布第二次重新调整自已光刻的发展策略，将放弃
采用
157nm的光刻机。这一消息的公布，将极大地影响半导体设备制造
业及材料供应商。
Intel初将希望寄托在发展
157nm的扫描型光刻机，
目的是在
2007年时用在
45nm结点工艺中。此次，
Intel没有将
157nm光刻
机作为发展
32nm结点的理由，其中主要原因是
157nm的
镜头材料，氟
化钙太贵，缺乏供应商。相反，
Intel却试图扩展
193nm光刻机的功能到
下一代
微处理器的发展中，包括
90nm，
65nm及
45nm结点。
Intel表示仍坚持每两年一个循环，来实现公司的工艺技术发展目
标
.但是在实现
45nm结点中，
Intel改变了现有的工艺路线。
目前，
Intel有两家光刻机供应商，
ASML及
Nikon。而且在发展
65nm
结点中，
Intel已经分别为来自
ASML，
Nikon及
Canon三家的光刻机进行
了设备的评估。
原先，
Intel的光刻工艺发展规划是在
2003年用
193nm光刻机，解决
90nm结点，而在
2005年用
157nm光刻机解决
65nm结点，在
2007年用
极紫外光线
(EUV)解决
45nm结点。
在此次调整中，
Intel表示
90nm结点没有改变，而由于技术方面等
原因，将放弃
157nm光刻技术的开发，而试图扩展现有的
193nm技术至
65nm
结点中。同时表示，将可能把现有的
193nm技术，扩展用在
45nm结点中，
但是对于
EUV技术已经明确表示，由于技术方面的原因将推迟发展。
除此之外，还有其它原因，如
157nm的光刻胶及
pellicle仍有困难。
同时研究者发现镜头材料其固有的双折射
(birefringence)问题，至使
镜头材料达不到很高的水平，将严重地影响到镜头的设计及光刻图像的
质量。
要想采用现有的
193nm光刻技术来实现低至
65nm及
45nm结点，肯定
尚有许多的问题。尽管目前许多供应商正在发展高数值孔径
(NA)的先进
193nm光刻机，但是，
集成电路制造商必须在发展分辨率增强技术
(RET)
等方面与之配合，如光学邻近效应校正
(OPC)技术，相移掩模
(PSM)技术
及离轴照明
(OAI)技术等。
