STTL和LSTTL电路

1.1 电路的结构

1.1.1 STTL电路的结构

1.1.2 LSTTL电路的结构

1.2 电路的定义及特点

1.2.1 STTL电路的定义及特点

1.2.2 LSTTL电路的定义及特点

2 有关 SBD及SBD嵌位

2.1 有关SBD

2.1.1 SBD定义

2.1.2 SBD性质及特点

2.2 有关SBD嵌位

2.2.1 限制TTL电路速度的原因

2.2.2 SBD嵌位晶体管结构

2.2.3 SBD嵌位的作用

2.3 SBD嵌位晶体管在集成电路中的实际应用

2.4 引入SBD嵌位的注意事项

3 STTL电路

4 LSTTL电路

4.1 LSTTL电路的结构特点

4.1.1 输入结构特点

4.1.2 输出结构特点

4.2 LSTTL电路工艺制造时采取的工艺措施

课程重点：本节介绍了肖特基势垒二极管（SBD）的性质和特点，肖特基势垒二极管（SBD）具有与硅pn结二极管相似的伏安特性，即正向大于阈值电压时的大电流特性，反向大电阻特性；肖特基势垒二极管（SBD）具有可用于改善集成电路三个特点，即正向压降低、开关时间短和反向击穿电压高。讨论了SBD在TTL集成电路中起到的嵌位作用，这是由于TTL集成电路在提高电路速度时存在矛盾，即要想减少电路导通延迟时间，可以通过加大输出管的基极驱动电流来实现，这势必使输出管在电路导通态的饱和深度增加，输出管的基区和集电区的超量存储电荷增加，在电路截止是加大了截止延迟时间；肖特基势垒二极管与可能饱和的晶体管集电结正向并接，由于SBD正向压降低的特点，是晶体管的饱和深度不能太深，从而有效的提高了电路速度。本节给出了SBD嵌位晶体管的结构（电路结构，等效电路结构，平面版图结构以及与平面版图对应工艺剖面结构）。分析了SBD嵌位晶体管应用于STTL电路和LSTTL电路中时，起到的改进集成电路性能的作用。

课程难点：注意肖特基势垒二极管（SBD）的性质中有的是对改进集成电路性能有利的，有的是对集成电路性能是有害的，有时为改善SBD性能反而削弱了SBD对晶体管嵌位的作用。因此，在实际应用时，要注意选择合适的SBD面积。

基本概念：

1 STTL电路-肖特基势垒二极管（SBD）嵌位抗饱和TTL电路（SN54s/74s）系列。

2 LSTTL-低功耗肖特基势垒二极管（SBD）嵌位抗饱和TTL电路（SN54ls/74ls）系列。

基本要求：了解SBD的性能，熟知SBD的哪些性能在STTL和LSTTL集成电路中得到应用。了解SBD嵌位晶体管的电路结构，等效电路，平面版图以及与平面版图对应的工艺剖面结构。了解在TTL集成电路中的适当位置应用SBD后，为何可有效的提高电路速度。清楚一般TTL集成电路与STTL集成电路电路参数上的差别，以及与LSTTL集成电路电路参数上的差别。知道STTL和LSTTL集成电路是如何定义的，为什么这样定义。