IC设计与工艺制备之间的
接口 制定目的：使
芯片尺寸在尽可能小的前提下，避免线条宽度的偏差和不同层版套准偏差可能带来的问题，尽可能地提高电路制备的成品率
什么是设计规则？考虑器件在正常工作的条件下，根据实际工艺水平(包括光刻特性、刻蚀能力、对准容差等)和成品率要求，给出的一组同一工艺层及不同工艺层之间几何尺寸的限制，主要包括线宽、间距、覆盖、露头、凹口、面积等规则，分别给出它们的值，以防止掩膜图形的断裂、连接和一些不良物理效应的出现。
对于双极型
集成电路，是以
引线孔为基准，尺寸规定如下(详细见图)：
①引线孔的尺寸为2 ×2 。
②金属条的宽度为2 ，扩散区(包括基区、发射区和集电区)的宽度为2 ，
P+隔离框的宽度为2 ．
③扩散区对引线孔各边留有的富裕量大于或等于1 ，埋层对基区各边应留有的富裕量大于或等于1 。
④除N+埋层与P+隔离槽间的间距应为4 外，其余的间距均为2 。这是因为P+的隔离扩散深度较深，故横向扩散也大，所以应留有较大富裕量。
中速TTL电路版图设计规则(μm)
套刻间距 5
隔离槽宽度 10
元件与隔离槽间距 18
埋层与隔离槽间距 18
基区和集电极孔间距 5
发射极孔 8×8
基极孔宽 8
集电极孔宽 8
电阻条宽 10
电阻条间间距 7
电阻引线孔 8×8
铝条宽度(包括两边覆盖2μm) 10
长铝条间距 10
短铝条间距 5
键合点面积 100×100
两键合点间距 70
隔离槽外边界与键合点之间的间距 150
划片间距 400
