CMOS直流噪声容限

CMOS倒相器可采用的两种直流噪声容限，根据两种直流噪声容限定义和CMOS倒相器电路性能分析，CMOS倒相器可采用噪容作为其直流噪声容限；给出了噪容的要求，即要求高电平噪容与低电平噪容相等，因此，要求P管归一化阈电压与N管归一化阈电压相等，且P管与N管的K因子之比为1。对归一化阈电压不等情况，可调整K因子之比使高电平噪容与低电平噪容相等；对K因子之比不为1的情况，可调整归一化阈电压，以得到噪声容限。