Smart-cut技术是一种注入氢离子然后进行剥离的技术，即在键合的一片晶片上注入氢离子，然后和另一硅片在一定温度下键合。键合热处理温度在大约
（a） 支撑硅片氧化和器件硅片H+离子注入
（b） 硅片预键合
（c）热处理使硅层分离
（d） 抛光
图1.15 智能剥离技术工艺流程图
(1) H+离子注入，室温下, 以一定能量向硅片A注入一定量的H+离子, 在硅表面层下形成一层富含H+离子的硅层；另外，把支撑硅片热氧化，在硅片表面生成一层氧化层，如图1.15(a)所示。
(2)预键合，将硅片A与另一硅片B进行严格的清洗和活化处理后,在室温下把两个抛光面贴合在一起使两个硅片键合在一起，如图1.15(b)所示。硅片A与B之间至少有一片的键合表面用热氧化法生长SiO2层,用以充当SOI结构中的隐埋绝缘层。
(3)热处理。基本上分两步：步，键合硅片注入的高浓度H+离子层在高温下会成核并形成气泡, 气泡的急剧膨胀把硅片在富含高浓度H+离子层的地方分开，也就是发生剥离, 剥离掉的硅层留待后用,余下的硅层作为SOI结构中的顶部硅层，如图1.15(c)所示；第二步，高温热处理, 提高键合界面的结合强度并消除SOI层中的离子注入损伤。
(4)化学机械抛光，降低表面粗糙度，如图1.15(d)所示。断裂面需经过轻度抛光，即可达到体硅的光洁度，可以制备出 200±4 nm的4英寸的SOI材料。
SOI片顶层硅膜的厚度与H+注入能量有关，H+注入能量越大，H+注入峰越深，顶层硅膜的厚度就越厚，表1.1给出了器件层厚度与H+注入能量的关系。
表1.1 器件层厚度与H+注入能量的关系
| H+注入能量（KeV） | 10 50 100 150 200 500 1000 |
| 器件层厚度（µm） | 0.1 0.5 0.9 1.2 1.6 4.7 13.5 |
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