高速低能耗的SIGE BICMOS工艺技术

时间：2007-04-29

INFINEON科技于公布名为B7HFC的SIGE BIC MOS工艺技术，该工艺制作了10GHz的锁相环回路（PLL）。这种10GHz的SIGE BICMOS PLL设立了高速低功耗和集成的射频（RF）IC的世界性标准。在典型的移动电话使用频率下，这种PLL与传统的SI BICMOS设计相比可将电流缩减50%从而提高射频性能。现在，采用B7HFC技术，制造商可制造高度集成的低功耗RF接收机，从而为便携式设备赢得了更长的通话时间和待机时间。

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