安捷伦高线性度E-pHEMT FET

安捷伦科技公司 (Agilent Technologies) 日前宣布，在其高线性度E-pHEMT (增强模式伪形态高电子迁移率晶体管) FETs (场效应管) 产品系列中增加两款采用4.5 mm x 4.1 mm x 1.5 mm行业标准表面封装的SOT-89新产品。通过采用行业标准封装，安捷伦新推出的ATF-52189和ATF-53189及早先推出的ATF-50189单电压E-pHEMT FET进一步简化了将50 MHz - 6 GHz基站升级到更高通道容量的工作。

安捷伦科技半导体产品事业部推出的ATF-52189和ATF-53189是为发射器的功放器和接收器的低噪声放大器而设计的，可以用于工作频率在450 MHz - 6 GHz的蜂窝和PCS基站、低地面轨道卫星系统、陆上多通道多点分布系统(MMDSs)及其它通信应用领域。

ATF-52189在2 GHz时，其三阶输出拦截点 (OIP3) 为42 dBm，这成就了一个高效的放大器，能够处理大量的语音和数据通道。在2 GHz时，其它技术参数包括27 dBm的典型线性输出功率(P1dB)、16 dB的增益和55%的功率加效率(PAE)以及1.5 dB的噪声系数等。典型工作偏置在200 mA时为4.5 V。因此，特别适用于中等功率、高线性度的发射器驱动器或预驱动放大器。

ATF-53189具有更低的噪声系数 (0.85 dB) ，40 dBm的OIP3, 23 dBm的P1dB, 15.5 dB的增益和46%的PAE。典型工作偏置在135 mA时为4.0 V。这使其成为了接收器前端阶段低噪声、高线性度放大器的，也适用于中等功率、高线性度发射器驱动器或预驱动放大器。

ATF-52189和ATF-53189采用E-pHEMT工艺，具有杰出的性能一致性及300年以上的单点平均故障间隔时间 (MTTF)。这些器件采用无引线封装，额定的潮湿灵敏度等级为1级(MSL1)。

安捷伦一直是业内一家提供单电压操作的E-pHEMT器件的厂商。由于其单电压操作、高效率和杰出的RF性能特点，安捷伦E-pHEMT器件成为了取代噪声系数更高的单电压HBT (异质结两极晶体管)及传统的双电压PHEMT和GaAs HFET (异质结构FET)器件的必然选择。