飞兆推出具有抗雪崩能力的1200V NPT沟道IGBT

　　飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)近日推出FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT，它结合了的抗雪崩能力和经优化的开关及导通损耗性能权衡，能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。 

　　该产品专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，能够延长系统寿命。此款IGBT采用飞兆半导体的沟道技术和非穿通型(NPT)技术，这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺，使它能够耐受450mJ的雪崩能量，确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。 

　　飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim表示：“在电磁加热设备中，不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障均会引起雪崩模式情况，导致机器瞬间失效。为了解决IH应用中的这些可靠性问题，这款新型1200V NPT沟道IGBT提供了的抗雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度，提升总体系统效率。” 

　　FGA25N120ANTD已达到IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。该产品采用TO-3P无铅封装，以1,000个位采购单位，单价为2.50美元。