飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管采用Doherty放大器优化无线基站性能

　　飞思卡尔半导体推出7款性能卓越的LDMOS RF功率晶体管，能够让WCDMA和CDMA2000基站发射器发挥Doherty放大器架构的全部潜力。

　　Doherty架构迅速成为行业标准，提供非常出色的效率，但也为设计带来挑战，因为同时要求高效率和高线性是一个相互冲突的要求。飞思卡尔新推出的晶体管专门针对这种架构，成功地解决了这些难题，这样便可以创建功耗远低于传统晶体管设计的基站。

　　其中两台设备在865-960 MHz 频段运行，另外两台在1930-1990频段运行，还有三台设备在2110-2170 MHz频段运行，从而覆盖了常用的手机、PCS和WCDMA频率。

　　所有这些设备以磁带和卷轴形式提供，全部采用+28V操作电压，具有完整的ESD保护功能。它们能够在不造成任何破坏的情况下处理5:1 VSWR，并且安装于符合RoHS的高热传导性气泡陶瓷封装中。

　　飞思卡尔副总裁兼射频部总经理Gavin P. Woods表示：“与其他类型的放大器相比，Doherty放大器固有的高效率特性能够降低基站每年的功耗，这样飞思卡尔便能够服务提供商客户提供运行成本的产品。但是为了充分发挥产品的全部潜力，Doherty放大器需要专门为此量身定制的射频功率设备。飞思卡尔是家提供这些Doherty优化的、高功效设备的公司，为了限度地利用这种独特的放大器架构，这些设备都是全新设计的。”

供货信息

　　飞思卡尔推出的7款新型LDMOS设备目前正在提供样品。