Vishay推出超薄0402硅晶电容器

时间:2007-12-13
Vishay Intertechnology公司宣布为智能卡应用而优化的硅晶电容器。凭借Vishay开发出的专有半导体加工工艺,在将大电容封装于致密纤薄的封装内的工艺方面,该产品建立了新标准。
  新型硅晶HPC0402B与HPC0402C是高电容器。与传统薄型电容器相比,该电容器能在更高频率环境下运作并能提供更佳的性能。除成为市面上巧且应用于智能卡的0402电容器外,HPC0402B与HPC0402C还能在更小的封装内提供更高的频率范围,并在广阔频率范围内、低ESR值、高Q因子、超高频自谐频率(SRF)以及低寄生电感的条件下提供优越的稳定性。
  该产品现有16种规格可供选择,电容范围界乎10 pF至180 pF之间且其严公差为±1%。今天发布的电容额定电压可为6-V、10-V、16-V及25-V。HPC0402B与HPC0402C均具有高度的尺寸规格,其尺寸为0.040英寸×0.020英寸[1.02毫米×0.51毫米] ,B型的剖面高度低为0.007英寸[0.18 毫米] ,C型的剖面高度为0.010英寸
[0.25 毫米]。
  该产品的大电容范围与小巧封装能提供更大的电路Q值及更长的传输距离。得益于其弯曲应力,体积较小的电容器不易分层,从而能改善智能卡的可靠性。
  现有表面贴装型及引线接合型两种HPC0402B与HPC0402C样品可供选择。大批量生产的交货期为八周。
  网站:https://www.vishay.com。
0.18 毫米0402硅晶电容器
  
上一篇:Maxim推出最小高效率高亮度LED驱动器
下一篇:Zetex新型LED照明驱动器提升功率密度

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关技术资料