意法半导体发表高性能、高密度記憶體元件

　　意法半导体发表了全新的128Mbit串行闪存组件M25P128，主要针对需要高性能、低成本程序代码储存方案的广泛计算机及消费性应用。新的128Mbit组件扩充了ST现有从512Kbit到64Mbit的程序代码储存产品线，同时是市场上首先达到此一储存密度的闪存组件。 

　　M25P128采用ST经过验证的每单元2位快闪技术，该技术能在每一个内存单元中储存两位的信息，较传统量产技术提升了两倍密度，从而提供了更具成本竞争力与可靠度更高的产品。新组件适用领域非常广泛，包括打印机、行动装置、游戏卡匣、服务器与PC BIOS、PC外围、绘图卡、硬盘驱动器、CD及DVD播放器与录像机、PDA、网络设备、电子字典、数字相机与调制解调器等。 

　　该组件提供64个2Mbit的区块，兼容于其它串行闪存产品。设计人员能够从新组件高达50MHz的快速时脉频率与高内存密度获得更大优势，从而为他们的客户在高速服务器与打印机等应用中提供的效能。 

　　新组件采用高速串行接口，而非并行储存器总线，能透过在4线路SPI兼容接口中减少讯号数量来降低板面空间及成本，而缩小的裸晶尺寸则能较竞争的标准闪存产品使用更小的封装。此外，系统的CPU或ASIC也能减少其接脚设计。 

　　高密度的M25P128采用业界的8x6mm MLP8与S016封装；两种封装均使用ST的ECOPACK无铅技术，符合RoHS（欧盟有害物质使用限制）规范。 

　　M25P128在2.7V∼3.6V的单一供给电压操作，温度范围为-40℃∼85℃。资料保存期限超过20年，可承受超过10,000次的擦除／编程循环。软件功能包含大量擦除与区块擦除、灵活的页面编程旨令、写入保护，以及能轻易实现组件辨识的JEDEC标准16位电子签名。 

　　随着密度从512Kbit扩展到128Mbit，ST的串行闪存现在能为低接脚总数及小尺寸封装中的嵌入式程序代码与参数储存提供更可靠的解决方案。M25P128现可供应样品，在2006年季即可量产。大量采购时每颗单价约4.2美元。