英特尔开发出能显著降低关断状态漏电流的65nm工艺

　　瞄准用于电池供电系统的芯片，英特尔已经开发出一种能够显著降低关断状态漏电流的65纳米逻辑衍生工艺。

该公司位于俄勒冈的逻辑开发中心工艺架构与集成部门总监Mark Bohr表示，英特尔的标准65nm工艺P1264，主要针对要求导通电流的高性能系统，其中处理器可承受每微米100毫微安电流泄漏。在包括芯片组(用于移动系统和网络处理器)在内的低功率系统中，当器件处于关断状态时，IC可以处理1-10毫微安/微米(nA/micron)的泄漏。“对用于手机、PDA或其他小型手持式电池供电系统的超低功率芯片而言，这种新型65nm工艺所产生的漏电流为0.1nA/micron，比我们目前采用的高性能工艺要低1000倍。”他说。

低功耗P1265工艺将用于英特尔的一系列网络处理器及笔记本电脑芯片组中。用于内存控制与I/O的芯片组逻辑消耗笔记本电脑整个功率预算中相当大的部分，英特尔的一名发言人称。该工艺将成为英特尔继续冲击手机市场的新型武器，这个市场的出货量远远超过了英特尔目前占主导地位的计算机市场。

P1265工艺具有针对手持设备的低截至电流；左侧的P1264针对高导通电流的高性能系统。

P1265工艺的推广设计已经分发给英特尔各产品设计团队，预计该工艺将于2007年投入批量生产。与此同时，标准P1264工艺正在英特尔位于Hillsboro的D1D和位于亚利桑那州Chandler的晶圆厂内迅速推广，用于进行开发和早期的商业生产。这位发言人表示，在65nm设计规则下，以高性能工艺生产的处理器预计将于今年年底投入批量生产；而65nm芯片产品也将于2006年初面世。

Bohr介绍，英特尔的工程师此前就已经将衍生工艺用于笔记本电脑芯片组，并调整金属互连栈来提高晶体管封装密度。但是在65nm节点，英特尔采用了一种“整体分析”，在同一时间内考虑多种泄漏源。

漏电流可以通过调整阀值电压、源极和漏极掺杂以及栅极氧化层得到减少。P1265工艺的阀值电压可调高100mV左右，达到300 - 400mV的范围。然后，可以对源、漏极的掺杂浓度和退火进行优化来减少衬底泄漏。此外，稍微加厚栅极氧化层也可以减少栅极泄漏。

“任何人都可以进行上述任一种调整，但是将三者合一进行相互补充却并不容易。我认为我们在这方面做得很不错。”Bohr表示。

Bohr介绍，英特尔的高性能芯片可以在1.2V的电压下工作，而超低功率产品将能够在800mV以下电压工作。

针对芯片组产品，英特尔开发出缩小互连间距的90nm P1263工艺。英特尔将P1265工艺中M2至M5层之间的金属间距缩小以提高密度，并使用了与P1264工艺相同的八金属层结构。Bohr表示P1265工艺采用了同样的设备组，并能与P1264工艺协同工作。

数年前，英特尔称其将推出主要针对模拟功能的硅锗工艺。Bohr介绍该项目被称为p121x工艺计划，在英特尔确定标准CMOS工艺可以满足或超出硅锗工艺所获得的性能目标后即被取消。